검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Business General 비즈니스 일반

풀무원다논, 239억원 투자해 요거트 생산라인 증설

URL복사

Friday, September 04, 2020, 09:09:27

연간 생산 능력 2만 8000t에서 6만 6800t으로 2배 이상 확대
액티비아·그릭 등 주요 4개 브랜드 산하 40여개 제품 생산 중

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ요거트 전문 기업 풀무원다논이 전북 무주 공장에 239억원을 투입해 신규 요거트 생산라인 3개를 증설하고 연간 생산능력을 2배 이상 확대했습니다.

 

풀무원다논은 풀무원의 바른먹거리 원칙과 100년 발효 역사를 지닌 프랑스 다논의 요거트 기술이 더해져 설립된 요거트 전문 기업입니다.

 

4일 풀무원다논에 따르면 대지면적 11만 9936㎡(3만 6280평), 연면적 1만 3078㎡(3956평) 규모 풀무원다논 무주공장은 지난 2008년 설립됐습니다. 국내 요거트 공장에서는 원유 전살균 설비, 유산균 투입기(MIF) 등 차별화된 공정과 설비가 갖춰져 있습니다.

 

풀무원다논은 이번 무주공장 증축을 통해 3072㎡(929평) 연면적을 추가로 확보하고 고속충진설비와 포장설비, 전처리설비 등을 증설해 요거트 생산 능력을 기존 2만 8000t에서 2.3배가 넘는 6만 6800t으로 확대했습니다.

 

이번 증축을 통해 풀무원다논은 증가하고 있는 소비자 수요에 맞는 제품 공급이 가능해졌고, 시장 트렌드에 빠르게 대응할 수 있는 인프라를 갖추게 됐습니다. 이와 함께 회사는 무주군을 비롯해 전북 동부권 지역 고용 창출과 지역경제 활성화에도 기여할 것으로 보고 있습니다.

 

무주공장 증축은 매년 두 자리 수 이상의 성장을 한 결과입니다.국내 요거트 시장은 경쟁이 치열하고 완숙기에 접어들어 성장이 더딘 편이지만, 풀무원다논은 프랑스 다논의 요거트 기술을 바탕으로 매년 신제품을 선보이며 성장해왔습니다.

 

실제 닐슨코리아에 따르면 최근 3년간 국내 요거트 시장은 연평균성장률은 0.5%에 그쳤는데요. 반면 풀무원다논은 같은 기간 연평균 10.9% 매출성장률을 보이며 시장을 이끌고 있습니다.

 

풀무원다논은 포트폴리오를 강화한 것을 성장 비결로 꼽았는데요. 풀무원다논의 스테디셀러 액티비아의 화이트 등이 앞에서 끌고 아이러브요거트의 한끼오트, 그릭의 그릭 달지 않은 플레인, 솔루션의 위솔루션 등 변화하는 소비자들의 라이프 스타일에 맞춘 신제품 개발과 다양한 맛을 출시했습니다. 또 최근에는 고단백 요거트 신제품 오이코스와 다양한 토핑을 요거트와 함께 즐기는 요거톡을 선보이기도 했습니다.

 

 

정희련 풀무원다논 대표는 “풀무원다논 무주공장은 그동안 액티비아 등 세계적 수준의 발효유 제품들을 생산해 오면서 풀무원다논이 국내 최대 규모의 요거트 전문 기업으로 발돋움하는 전진 기지 역할을 해 왔다”며 “이번 3개 라인 증설로 생산 능력이 2배 이상 늘어난 만큼 앞으로 더 새롭고 다양한 맛과 기능을 갖춘 제품들을 선보이며 국내 요거트 시장점유율을 확대해 나가겠다”고 말했습니다

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너