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특검, 이재용에 징역 9년 구형…최후진술서 울먹이며 “달라지겠다” 호소

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Wednesday, December 30, 2020, 16:12:54

이 부회장 ‘국정농단’ 파기환송심 결심 공판 열려..특검 항소심때보다 구형량 낮춰
20여분간 준비해온 최후진술 이어가..“제 잘못과 불찰 책임” 재발방지 의지 재확인

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ3년 10개월 간 이어진 이재용 삼성전자 부회장의 ‘국정농단’ 사건 재판이 마무리됐습니다. 특검이 이재용 삼성전자 부회장에 징역 9년 구형했고, 이 부회장은 20여분간 최후진술에서 눈물로 호소했습니다.

 

서울고법 형사1부(부장판사 정준영 송영승 강상욱) 심리로 30일 열린 이 부회장 등에 대한 파기환송심 결심공판에서 특검은 “이 부회장에게 징역 9년을 선고해달라”고 재판부에 요청했습니다.

 

최지성 전 미래전략실장과 장충기 전 미전실 차장, 박상진 전 삼성전자 사장에게는 각각 징역 7년, 황성수 전 삼성전자 전무에게는 징역 5년을 구형했습니다.

 

다만 특검은 파기환송 전 1·2심에서 모두 징역 12년을 구형했던 것보다 구형량을 다소 낮췄습니다. 특검은 “대법원에서 일부 혐의에 무죄가 확정된 점을 고려했다”고 설명했습니다.

 

특검은 “우리나라 기업은 삼성과 삼성이 아닌 곳으로 나뉜다는 말이 회자할 정도로 압도적인 힘을 가진 그룹”이라며 “우리 사회의 건전한 발전을 위해서는 부정부패에 단호한 모습을 보이고 모범을 보여야 하는 것이 삼성의 위치”라고 말했습니다.

 

이 부회장은 최후진술에서 삼성의 부정부패 재발 방지와 준법경영 의지를 약속했습니다. 그는 “저는 오늘 참회하는 마음으로 이 자리에 섰다”며 “아버지가 갑자기 쓰러져 경황이 없던 가운데, 박 전 대통령과 독대 자리에 앉았고, 지금 같으면 결단코 그렇게 대처하지 않았을 것”이라고 호소했습니다.

 

지난 4년간 이어져온 재판에 대해서 이 부회장은 “솔직히 힘들고, 답답하고 참담한 시간이었지만 돌이켜보면 모든 것이 제 불찰과 잘못 책임이었다”고 말했습니다.

 

아버지 故 이건희 회장을 언급할 땐 울먹거리는 모습을 보이기도 했는데요. 이 부회장은 “국격에 맞는 새로운 삼성을 만들어 존경하는 아버님께 효도하고 싶다”라고 밝혔습니다.

 

이 부회장은 박근혜 전 대통령과 최서원(개명 전 최순실)씨에 그룹 경영권 승계 관련 청탁 대가로 300억원 상당의 뇌물을 건넨 혐의로 지난 2017년 2월 재판에 넘겨졌습니다.

 

1심은 이 부회장의 혐의 일부를 유죄로 보고 징역 5년을 선고했습니다. 이어진 항소심에서 일부 혐의가 무죄로 인정돼 징역 2년 6개월에 집행유예 4년으로 뒤집었습니다.

 

하지만 작년 8월 진행된 대법원은 2심에서 인정되지 않은 50억원의 뇌물·횡령액을 추가로 인정해야 한다며 판결을 깨고 다시 서울고법으로 돌려보냈습니다.

 

재판부는 내년 1월 18일을 파기환송심 선고 공판 기일로 지정했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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