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김용범 “주담대 회피 목적 신용대출 등 집중 점검”

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Wednesday, March 21, 2018, 11:03:33

금융위, ‘가계부채관리점검회의’ 개최..내달부터 ‘가계부채 관리 체계’ 구축 및 운영

[인더뉴스 정재혁 기자] 금융당국이 주택담보대출(주담대) 규제 회피 목적의 신용대출을 취급한 금융사를 집중 점검한다. 또한, 오는 26일로 예정된 개인사업자대출 여신심사가이드라인 위반 사례도 점검해 엄중 조치하기로 했다.

 

김용범 금융위원회 부위원장 21일 오전 서울 정부청사에서 ‘가계부채관리점검회의’를 개최해 이와 같이 말했다. 이날 회의에는 금융위와 금융감독원 간부들을 비롯해 유관기관 담당 임원들이 참석했다.

 

김 부위원장은 모두 발언에서 “정부 대책 효과와 금융권의 관리 노력 강화 등으로 지난해 가계신용 증가속도가 상당부분 안정화됐다”며 “올해에도 가계부채의 안정적 추세가 지속될 수 있도록 체계적인 가계부채 관리 기반을 다져 나가야 한다”고 말했다. 

 

실제로 작년 가계신용 증가율(8.1%)은 가계부채 종합대책 수립 당시 정부가 제시했던 장기추세치 목표(8.2%)를 달성했다. 연중 증가규모도 2016년 대비 31조원 감소한 108조 4000억원으로 2014년(66조 2000억원) 이후 최저다.

 

하지만, 김 부위원장은 신용대출·개인사업자대출 증가 우려, 시장금리 상승에 따른 취약차주의 상환부담 가중 등의 위험요인을 언급하며, 전 금융업권이 선제적으로 대응해 나가야 한다고 강조했다.

 

특히, 금융당국은 향후 주담대 규제를 회피할 목적으로 신용대출을 취급한 경우와 개인사업자대출 여신심사가이드라인 위반 사례 등을 집중 점검해 엄중 조치하기로 했다.

 

김 부위원장은 “금융권에서도 신용대출, 개인사업자대출 등 가계부채 취약부문에 대한 자체적인 리스크 관리를 더욱 강화해야 한다”며 “또한, 제도 시행 초기인 개인사업자대출에 대해서는 금감원과 업계가 긴밀히 소통해, 제도가 성공적으로 안착될 수 있도록 지원할 필요가 있다”고 말했다.

 

이밖에 금융당국은 그간 발표했던 가계부채 관련 대책들(가계부채 종합대책, 취약·연체차주 지원방안 등)의 후속 조치를 차질없이 추진키로 했다. 아울러, 내달부터 ‘가계부채 점검 체계’를 구축·운영해 가계부채 리스크 요인에 대한 선제적 관리 및 대응에 나선다. 

 

가계부채 점검 체계는 금융위가 주관 ‘가계부채관리 점검회의(금감원·업권별 협회)’와 ‘가계부채 전문가 협의체(금감원·금융연구원 등)’에서 논의한 내용을 필요 시 기재부 주관 ‘가계부채 관리협의체(금융위·금감원·국토교통부·한국은행)’에 안건을 상정하는 구조다. 

 

마지막으로 김 부위원장은 “지난해에 가계부채가 안정세를 보였다고 해서 가계부채 문제에 대한 경각심을 잃어서는 안 된다”며 “각 업권에서도 정부의 가계대출 관리방안이 현장에서 실질적인 효과를 발휘할 수 있도록 적극 노력해 달라”고 당부했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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