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이마트, 과격 시위·명예 훼손 등 마트산업노조 고소·고발

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Thursday, April 05, 2018, 14:04:56

지난 2일 이마트 구로점 故 권미순 사원 사망 관련 폭력적 행동 지나쳐
노조, 응급조치 안하고 추모객 막아..이마트, 메뉴얼대로 진행·업무방해

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 이마트가 마트산업노동조합 간부 6명을 고소·고발했다. 지난 2일 이마트 구로점에서 발생한 故 권미순 사원의 사망(허혈성 심장질환)과 관련해 노조의 폭력적인 행동이 도를 지나쳤다고 판단했기 때문이다. 

 

5일 이마트에 따르면 지난 4일 마트산업노조의 과격 시위, 명예 훼손과 관련, 김기완 마트산업노조 위원장, 전수찬 마트산업노조 수석부위원장 겸 이마트지부장 등 6명과 성명불상사 다수를 구로경찰서에 고발했다. 

 

노조와 이마트는 故 권미순 사원이 쓰러진 직후 응급조치에 대한 의견이 팽팽하게 엇갈리고 있다. 우선 노조측은 구급차가 오기전까지 10분 동안 별다은 응급조치를 받지 못했다고 주장하고 있다. CCTV 확인 결과, 팔을 주무르고, 부채질을 한 것이 전부였다는 것. 

 

이에 이마트는 메뉴얼대로 초기대응을 했다는 입장이다. 사고 발생 직후 즉시 119에 신고하고, 구급대가 도착하기 전까지 119센터 지시에 따라 구조에 필요한 일련의 선행조치를 취했다는 반박했다. 이마트측은 “회사가 아무런 조치를 하지 않고 망인을 방치한 것처럼 주장은 허위사실이다”고 주장했다. 

 

또 노조는 지난 2일 구로점에서 열린 추모문화제에서 故 권미순 사원이 일한 24번 계산대로 향하는 추모객들의 이동을 막아섰다고 주장하고 있다. 이마트 남성 관리자들이 “이곳은 사유지니 들어오지 말라” “집회하던 곳으로 돌아가라” “추모는 아까 다 하지 않았냐” 고 물리적으로 가로막았다는 것. 

 

반대로 이마트는 노조가 추모집회 후 출입문 등 기물을 파손하고, 무단으로 매장에 진입해 업무를 방해했다고 맞서고 있다. 이를 제지한 직원 등에 폭력을 행사해 6명이 각각 소지열상, 고관절 부상, 뇌진탕, 요추염좌상 등 전치 2주 가량 상해를 입혔다는 것이다. 

 

또한 촬영 중인 직원의 휴대전화를 빼앗기 위해 직원을 넘어뜨린 후 집단으로 폭행했으며, 강제로 빼앗은 휴대전화를 돌려주지 않는다고 주장하고 있다. 

 

이마트측은 “(노조의 이같은 행위는)폭력행위등처벌에관한법률((상해, 재물손괴, 건조물침입) 위반, 업무방해죄, 명예훼손죄, 강도상해죄 등에 해당한다고 봤다”고 말했다. 

 

이어 “향후 추모집회를 빙자해 같은 행위를 반복할 것을 우려해 고소, 고발하게 됐으며 불법 행위를 멈추고 '조용하고, 평화적인 방법'으로 추모하기를 바란다”고 덧붙였다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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