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종근당, 항암제 신약 ‘캄토벨’ 비교임상 결과 발표

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Thursday, October 04, 2018, 18:10:55

난소암·소세포폐암 치료제..기존 약물 ‘토포테칸’과 비교 실험 진행
환자 164명 대상으로 유효성·안전성 평가..치료효과 동등·부작용 축소

인더뉴스 김진희 기자ㅣ 기존에 사용되던 난소암·소세포폐암 항암제와 신약의 비교 임상실험 결과가 나왔다. 치료효과는 동등하면서 세포독성 부작용은 더 적은 것으로 확인 돼 새로운 치료 옵션으로 주목 받고 있다.

 

종근당이 최근 캐나다 토론토에서 열린 세계폐암학회(WCLC 2018)에서 캄토테신계 항암제 신약 ‘캄토벨’의 유효성과 안전성을 추가로 확인한 비교임상 결과를 발표했다고 4일 밝혔다.

 

캄토벨은 우리나라의 8번째 신약이자 항암제로서는 3번째 신약이다. 2003년 10월 난소암과 소세포폐암의 치료제로 조건부 허가를 받아 2004년 발매됐다. 우수한 항암 효과뿐만 아니라 부작용 발현 빈도가 기존 약물(토포테칸)에 비해 낮다.

 

종근당측은 “신약 캄토벨(성분명 벨로테칸)과 기존 약물인 토포테칸의 유효성·안전성을 비교평가 하는 후기 임상 2상 시험을 진행했다“고 말했다.

 

해당 임상 실험은 2010년 2월부터 올해 3월까지 국립암센터를 비롯한 전국 13개 기관에서 소세포폐암 재발 환자 164명을 대상으로 이뤄졌다. 

 

임상 결과 캄토벨 투여군에서만 1명의 완전 관해(Complete Response; 암이 사라짐)가 확인됐다. 객관적 반응률(Objective Response Rate; 항암제 투여 후 종양의 크기가 줄거나 완전히 관해 된 환자의 비율)은 캄토벨이 36.33%로 토포테칸 21.05%와 비교해 비열등한 결과를 나타냈다.

 

캄토벨 투여군의 전체생존(Overall Survival) 기간은 396일로 토포테칸 247일에 비해 통계적으로 5개월 가량의 차이를 보이며 생존기간을 유의하게 연장시키는 결과를 확인했다.

 

약물 투여 후 암이 더 이상 증식하지 않는 등의 무진행생존(Progression Free Survival) 역시 캄토벨 투여군 144일, 토포테칸 115일로 약 한 달의 차이를 보였다.

 

이번 임상으로 종근당은 확증 임상시험의 조건부로 허가 받은 국내 항암제 신약 중 최초로 소세포폐암과 난소암 2개 적응증에 대한 비교 임상시험을 통해 유효성과 안전성을 입증하게 됐다.

 

김흥태 국립암센터 종양내과 교수는 “1차 치료에 실패한 소세포폐암은 치료를 받지 않을 경우 생존 기간이 2~3개월이며 치료해도 반응을 보이지 않는 경우가 많아 예후가 좋지 않다”고 설명했다.

 

또한 “최근 치료에 새로 도입된 세포독성 항암제나 표적항암제가 없는 실정에서, 기존 항암제와 치료효과는 동등하고 세포독성 부작용이 적은 캄토벨이 좋은 치료 옵션이 될 것으로 기대된다”고 덧붙였다.

 

이번 임상시험 결과는 10월 19일~23일 독일 뮌헨에서 열리는 유럽임상종양학회(ESMO 2018)에서도 발표될 예정이다.

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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