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경찰, 금천구 오피스텔 땅꺼짐은 ‘人災’...대우건설 관계자 검찰 송치

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Friday, January 18, 2019, 16:01:46

경찰 조사 결과 안전조치·감리·설계 등 여러분야 문제 결론
대우건설 “조사결과 아쉽지만, 검찰 조사 성실히 임할 것”

 

[인더뉴스 이수정 기자] 경찰이 지난해 8월 서울 금천구 가산동 오피스텔 공사장에서 발생한 지반 침채 사고가 인재(人災)라고 판단해 시공사인 대우건설 관계자 등을 검찰에 기소했다.

 

18일 서울 금천경찰서는 당시 오피스텔 공사 시공사인 대우건설 관계자와 공사현장 관계자 9명에게 건축법 위반(공사현장의 위해 방지) 혐의를 적용, 기소의견으로 오는 21일 검찰에 송치할 예정이다.

 

아울러 대우건설 등 6개 법인도 해당 공사 현장 안전관리 의무를 소홀히 했다고 보고 건축법 위반 혐의를 적용해 기소의견으로 검찰에 송치할 방침이다.

 

지난해 8월 31일 새벽 4시경 금천구 가산동 오피스텔 공사장 흙막이가 붕괴하면서 공사장과 도로 주변 땅이 가로 30m, 세로 10m, 깊이 6m 규모 싱크홀이 발생했다. 이 사고로 근처 아파트 단지 내 주차장도 내려앉아 주민 200여명이 대피하고 차량 3대가 견인됐다.


이 때문에 피해주민(1개동 76가구)들은 사흘 간 밖에서 생활하는 불편을 겪어야 했다. 구청은 9월 3일 추가 지반침체는 없다는 결론을 내고 귀가를 권했지만, 단 6가구만 집으로 돌아가는 등 주민들의 불안감은 잦아들지 않았다. 

 

당시 오피스텔 시공사인 대우건설은 피해주민들에게 “사고 책임을 인정하며 진심으로 사과한다”는 뜻을 전한 바 있다. 이런 사과에도 인근 아파트 주민들은 ‘대우건설 인재사고 피해주민 대책위원회’를 결성하고 피해를 주장했다. 

 

이후 지난해 9월 초 해당 사건의 심각성을 인지한 금천구청은 시공사인 대우건설을 고발 조치했다. 경찰은 현장 관계자 10명을 입건하고, 공사장 설계가 적절했는지, 설계에 따라 공사가 진행됐는지, 감리 적절성과 안전조치가 타당했는지 여부를 집중적으로 조사해 왔다.

 

그 결과 이날 경찰은 “수사 결과 해당 공사 현장은 안전조치와 감리, 설계 등 여러 분야에서 문제가 있었다”며 “땅꺼짐 사고는 이 문제들이 결합해 발생한 것”이라며 사실상 인재 결론을 내렸다. 

 

한편, 해당 오피스텔 시공사인 대우건설은 조사 결과에 아쉬움을 표명하면서도 조사에 성실히 협조하겠다는 입장이다.

 

대우건설 관계자는 “설계사무소와 확인 과정을 거쳐 설계도서에 따라 시공했기 때문에 부실 공사 의혹이 제기되는 데 다소 아쉬움이 있다”면서 “오피스텔 건설 과정에서 피해를 본 주민들에 대해선 죄송한 마음“이라는 뜻을 전했다.

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이수정 기자 crystal@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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