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홀 디스플레이 폰 카메라 화질↓...삼성이 내놓은 대안은

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Tuesday, January 22, 2019, 11:01:00

업계 최초 1/3.4인치 크기 이미지 센서 출시..2000만화소 지원

인더뉴스 주동일 기자ㅣ 홀·노치 디스플레이 등 화면을 가능한 넓게 쓰는 베젤리스 디자인이 인기다. 다만, 카메라 크기를 줄일수록 해상도가 낮아져 스마트폰 제조사의 고민은 커지고 있다. 이를 해결하기 위해 삼성전자는 고해상도를 지원하는 이미지 센서를 선보였다. 

 

삼성전자는 업계 최초로 1/3.4인치 크기로 2000만 화소를 지원하는 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL) 슬림 3T2'를 출시했다고 22일 밝혔다. 0.8㎛(마이크로미터)의 초소형 픽셀로 구성한 제품으로 광(光) 손실·간섭 현상을 개선한 '아이소셀 플러스' 기술을 적용한 게 특징이다.

 

최근 스마트폰 시장 트렌드는 ‘홀 디스플레이(hole-in display)’, ‘노치 디스플레이(notch-display)’ 등 화면 크기를 극대화한 디자인이다. 이를 위해선 카메라 모듈 크기를 줄여야 한다. 하지만 카메라 모듈이 작아질수록 픽셀 수도 줄어 고해상도 카메라를 쓰기 어렵다. 

 

아이소셀 슬림 3T2는 베젤리스(bezel-less) 디자인에 최적화한 솔루션을 제공한다. 전면 카메라로 사용할 경우 4개의 픽셀을 1개처럼 작동시켜 감도를 4배 높이는 '테트라셀' 기술로 어두운 곳에서도 이미지를 밝게 촬영을 할 수 있다.

 

또 후면 카메라로 사용할 경우 2000만 화소의 고화질로 고배율 망원 카메라에서도 선명한 사진을 찍을 수 있다. 특히 10배 디지털 줌을 쓸 경우 같은 크기의 1300만 화소 이미지센서 대비 해상도를 약 60% 개선할 수 있다.

 

한편, 아이소셀 슬림 3T2는 같은 2000만 화소의 1/3인치 크기 센서 대비 카메라 모듈의 높이도 약 10% 낮출 수 있는 게 특징이다. 삼성전자는 '아이소셀 슬림 3T2'를 올해 1분기부터 양산할 계획이다.

 

권진현 삼성전자 S.LSI사업부 센서마케팅팀 상무는 “아이소셀 슬림 3T2는 성능과 디자인 등의 요소에서 고객들에게 차별화된 가치를 제공할 수 있는 획기적인 신제품”이라며 “앞으로도 모바일 기기의 혁신을 이끌 수 있도록 다양한 이미지센서 기술을 선보일 것”이라고 말했다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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