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KB금융, 작년 순익 3조 689억..전년比 7.3% 감소

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Friday, February 08, 2019, 17:02:17

시장 전망치인 3조 3118억원 하회..4분기 희망퇴직·특별보로금 등 비용 증가 영향

 

[인더뉴스 정재혁 기자] KB금융지주의 지난해 당기순이익이 7% 이상 감소한 것으로 나타나면서 ‘리딩 뱅크’ 수성에 적신호가 켜졌다.

 

KB금융(회장 윤종규)은 8일 인터넷·모바일 생중계를 통해 2018년 경영실적을 발표했다. 지난해 당기순이익은 3조 689억원으로 전년 대비 7.3%(2425억원) 줄었다. 이는 시장 전망치(3조 3118억원)에 크게 못 미치는 결과다.

 

4분기 당기순이익 감소가 결정적인 영향을 미친 것으로 보인다. KB금융의 4분기 당기순이익은 2001억원으로 전년 동기(4539억원) 대비 50% 이상 급감했고, 전분기에 비해서는 무려 79% 줄었다. 희망퇴직(세전 2860억원)·특별보로금(1850억원) 등으로 인한 일회성 지출이 컸다.

 

이밖에 KB금융은 주식시장 변동성 확대, 손해보험업 부진에 따른 기타영업손실 증가 등을 실적 감소의 주 요인으로 지목했다.

 

KB금융의 실적이 시장 전망치를 하회하면서 다음주 신한금융지주의 실적 발표에 관심이 집중된다. 신한금융의 2018년 당기순이익 전망치는 3조 1495억원으로 KB금융에 800억가량 앞선다.

 

이번 실적과 관련, KB금융 관계자는 “비록 4분기 실적이 몇 가지 거액의 일회성 비용과 유가증권 관련 손실 등으로 지난 3개 분기 평균 실적을 크게 하회하고 있지만, KB금융의 경상적인 이익체력은 견고하게 유지되고 있다”고 평가했다.

 

그룹 부문별 경영실적을 보면, 순이자이익은 전년 대비 8.0% 성장한 8조 9051억원을 기록했으며 순이자마진(NIM)의 경우 1.99%로 전년도 수준을 유지했다. 순수수료이익은 2조 2439억원으로 전년에 비해 9.4% 증가했다.

 

기타영업손익의 경우 2884억원 순손실을 기록했다. 4분기 들어 금융시장 변동성이 확대로 주식과 ETF, 파생결합상품에서 손실이 발생했고, 손해보험업에서 자동차보험 손해율 상승과 경쟁 심화에 따른 사업비 증가로 이익이 축소된 영향이 컸다. 일반관리비는 4분기 희망퇴직 비용 확대로 전년 대비 6.0% 늘었다.

 

작년 말 기준 총자산은 479조 6000억원으로 전년 말에 비해 9.8% 증가했고, 관리자산(AUM)을 포함한 그룹 총자산은 731조 8000억원으로 전년 말 대비 8.9% 상승했다. NPL비율은 0.61%, BIS자기자본비율과 보통주자본비율은 각각 14.60%·13.97%를 기록했다.

 

주요 계열사별 실적은 KB국민은행이 당기순이익 2조 2243억원을 기록해 전년 대비 2.3% 증가했다. 이밖에 KB증권 1788억원, KB손보 2623억원, KB국민카드 3292억원 등을 나타냈다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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