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최흥식 원장, 채용비리 사과..“블라인드채용 도입”

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Thursday, November 09, 2017, 13:11:31

금감원, 인사·조직문화 혁신 TF 운영 결과 발표..비위행위 임직원 직무배제·급여 삭감 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 채용비리·음주운전 사건 등 각종 비위행위로 인해 감독기관으로서의 권위가 땅에 떨어진 금융감독원이 ‘인사·조직문화 혁신 TF’를 구성해 조직 쇄신에 나선다. 채용 전 과정을 블라인드화(化) 하며, 임원의 비위행위가 발견되면 즉시 직무에서 배제하고 기본급·퇴직금 등을 삭감한다.

금감원(원장 최흥식)은 9일 오전, ‘금융감독원 채용 프로세스의 공정성 확보 및 임직원 비위·부조리행위 근절방안’을 발표했다.

최흥식 금감원장은 모두 발언을 통해 “금융시장의 파수꾼인 금융감독원이 잇따른 채용비리 등으로 국민들에게 큰 상처를 준데 대해 깊은 사과의 말씀을 드린다”며 “조직 스스로의 쇄신은 어렵다고 판단해 외부전문가가 직접 참여하는 ‘인사·조직문화 혁신 TF’를 지난 2개월여간 운영했다”고 말했다.

금감원이 발표한 이번 방안은 크게 ▲채용 프로세스 전면 개편 및 내·외부통제 강화 ▲비위행위 관련 근절방안 마련 ▲비위행위 예방장치 마련 등 3가지다. 

먼저, 채용 전 과정을 블라인드화 한다. 모든 채용단계에서 채점·심사·면접위원들에게 지원자의 성명, 학교, 출신 등의 정보를 비공개 처리한다. 또한, 학연·지연의 영향을 받을 수 있는 서류전형을 전면 폐지하고 1차 필기시험(객관식)을 도입하기로 했다.

최종 면접위원의 50% 이상을 외부전문가로 위촉해 외부청탁 발생가능성도 차단한다. 최종합격자 발표 전에 감사실이 채용원칙과 기준을 준수했는지 점검하고, 직원 채용공고에도 ‘청탁 등 부정행위로 인해 합격된 사실이 확인될 경우 당해 합격은 취소’됨을 명시한다.

비위행위가 적발된 임원은 즉시 직무에서 배제된다. 금전적 제재 방안도 마련해 직무배제 때 기본급 감액 수준을 기존 20%에서 30%로 확대하고, 업무추진비 지급도 제한한다. 만약 임원이 비위행위와 관련해 퇴직할 경우에는 퇴직금을 50% 삭감해 지급한다.

음주운전 1회 적발 때 직위 해제 및 일정 기간 승진·승급이 배제되고, 2회 적발되면 면직된다. 직무관련 주식거래 금지·통제도 강화해 전 직원의 금융회사 주식취득을 금지하고 기업정보 관련 부서는 전종목 주식취득을 금지한다. 주식을 취득하더라도 6개월 이상 보유를 의무화한다.

이밖에 비위행위를 예방하기 위해 퇴직임직원 등 직무관련자와의 면담 과정을 투명하게 관리하기로 했다. 특히, 직무관련자와 금감원 내에서 면담할 경우 반드시 동료 임직원을 동반해 진행하도록 정했다. 또한, 면담 내용의 서면보고도 의무화된다.

인사·조직문화 혁신 TF 위원장을 맡은 조경호 국민대 교수는 “채용절차에 부정이 개입될 소지를 차단해 노력한 사람이 채용될 수 있는 정의로운 채용절차를 구현하려 애썼다”며 “직원들의 공직의식 교육도 강화하는 등 임직원의 윤리의식 수준을 높여 청렴한 조직 문화를 정착시킬 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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