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바젤위원회, 시장리스크 규제 개정안 최종 승인

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Tuesday, January 15, 2019, 10:01:25

윤석헌 금감원장 회의 참석해 논의...오는 2022년 국내 도입 예정

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 은행 감독과 관련한 국제표준을 제정하는 기구인 ‘바젤은행 감독위원회(BCBS, 바젤위원회)’가 시장리스크 규제(FRTB) 개정안을 최종 승인했다. 이로써 2008년 글로벌 금융위기 이후 추진돼 온 바젤Ⅲ 규제개편은 사실상 일단락됐다.

 

금융감독원(원장 윤석헌)은 지난 14일 스위스 바젤에서 개최된 ‘바젤은행 감독위원회 금융감독기관장 및 중앙은행총재 회의’에서 시장리스크 규제 개정안이 최종 승인됐다고 15일 밝혔다. 윤 원장은 이번 회의에 직접 참석했다.

 

시장리스크는 금리, 주가, 환율 등과 같은 시장가격 변동으로 인해 은행이 손실을 입을 리스크를 의미한다. 바젤위원회는 지난 2007~2008년 글로벌 금융위기 때 발생한 문제점 개선을 위해 지난 2016년 1월 시장리스크 규제를 전면 개정한 바 있다.

 

2016년 당시 규제 내용은 ▲은행의 규제차익 추구행위 차단 ▲금융상품별 리스크 산출방법 개선 ▲내부모형 리스크 산출방법 변경 ▲위기 상황 때 금융상품별 헷지·청산기간 연장(10일~120일) 연장 등이다.

 

이번 회의에서는 2016년의 규제 내용을 보다 명확히 규정하고, 은행업계의 규제이행 부담이 경감될 수 있도록 일부 규제를 추가 개정했다. 표준방법에 의한 위험가중치(RW)를 조정하고, 내부모형 관련 규제 내용도 명확화했다. 이밖에 소규모 은행의 규제이행 부담도 완화했다.

 

그간 시장리스크 규제는 은행의 자본부담이 급격하게 증가할 것으로 예상돼 회원국 간 합의도출에 오랜 기간이 걸렸다. 실제로 2017년 12월에 열린 바젤위원회 회의에서 신용·운영리스크 등을 포함한 바젤Ⅲ 규제 개편안이 확정됐지만, 시장리스크 규제 개편안은 그렇지 못 했다.

 

금감원 관계자는 이번 개정안 합의에 대해 “바젤Ⅲ 규제개편의 불확실성이 제거되고 바젤 회원국들의 규제 이행 노력이 보다 탄력을 받을 것으로 보인다”고 말했다.

 

이번 규제 개정안은 오는 2022년 1월부터 바젤 회원국에 적용된다. 향후 금감원은 시장리스크 규제의 원활한 국내 도입을 위해 로드맵을 수립하고, 유관기관과 국내 은행업계와의 협의 등을 거쳐 국내에 차질 없이 제도가 안착할 수 있도록 준비한다는 방침이다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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