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제3인터넷은행에 키움·토스뱅크 등 3곳 도전장

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Wednesday, March 27, 2019, 22:03:36

키움 28개·토스 8개 주주 참여해 2파전 구도..금융위, 심사 결과 5월 중 발표

[인더뉴스 정재혁 기자] 제3 인터넷전문은행 예비인가 경쟁에 토스뱅크, 키움뱅크, 애니밴드스마트뱅크 등 3곳이 참전한다. 애니밴드스마트뱅크의 경우 주주구성이 완료되지 않았고, 신청 서류도 부족한 상태로 알려져 토스뱅크·키움뱅크의 2파전이 예상된다.

 

금융위원회(위원장 최종구)는 지난 26일부터 27일 사이 인터넷전문은행 예비인가 신청을 접수한 결과, 키움뱅크·토스뱅크·애니밴드스마트뱅크 등 총 3개 신청인이 신청서를 제출했다고 밝혔다.

 

인가신청서를 가장 먼저 접수한 곳은 키움뱅크(가칭)다. 키움뱅크 컨소시엄에는 키움증권과 다우기술을 중심으로 KEB하나은행, SK텔레콤, 11번가, 코리아세븐, 롯데멤버스, 하나투어, SK증권, 웰컴저축은행 등 총 28개 주주사가 참여한다.

 

 

업계에 따르면, 다우키움그룹이 34%의 최대 지분을 차지하는 가운데 KEB하나은행이 10%, 롯데그룹 계열사인 코리아세븐·롯데멤버스가 8%의 지분을 갖게 된다. SK텔레콤은 지분 참여율을 밝히지 않았지만, 규제를 감안해 10% 지분율을 넘기지 않을 것이란 예상이 지배적이다.

 

당초 가장 주목을 받았던 토스뱅크 컨소시엄은 주주사 8개로 시작해 28개인 키움뱅크에 비해 다소 초라하다. 특히, 컨소시엄의 주력으로 평가받던 신한금융과 현대해상 등이 예비인가 신청 접수 목전에서 이탈했다.

 

참여 지분은 비바리퍼블리카가 과반수 이상인 60.8%를 기록하면서 은행 운영의 주도권을 확보했다. 신한금융은 앞서 컨소시엄 탈퇴 이유로 지분율에 대한 이견을 언급한 바 있다.

 

비바리퍼블리를 제외한 나머지 주주사 7곳은 모두 10% 이내 지분율로 참여한다. 외국계 벤처캐피털인 알토스벤처스와 굿워터캐피털이 각각 9%, 리빗캐피털은 1.3% 지분을 갖는다. 국내 주주로는 한화투자증권이 9.9%, 한국전자인증과 베스핀글로벌이 각각 4%, 무신사(온라인 패션 플랫폼) 2% 등이다.

 

키움뱅크와 토스뱅크 외에 제3의 참가자인 애니밴드스마트뱅크는 주주구성이 정해지지 않은 채 신청한 것으로 알려졌다. 또한, 신청서류도 대부분 미비된 상태라 향후 일정 기간 내에 보완되지 않는 경우 신청이 취소될 수 있다.

 

금융위는 예비인가 신청 결과를 오는 5월 중에 발표할 예정이다. 금융위는 최대 2곳까지 인가를 내준다는 방침이어서, 주요 참가자인 키움뱅크와 토스뱅크 모두 예비인가를 받을 가능성이 적지 않다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


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인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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