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한미약품, 올해 ‘비만·NASH·항암’ 주력...JP모건 컨퍼런스서 발표

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Thursday, January 10, 2019, 13:01:21

혁신신약 ‘포지오티닙’ 임상 중국서 직접 진행
NASH·AML과 펜탐바디 적용한 신약 임상 예정

인더뉴스 김진희 기자ㅣ 한미약품이 JP모건 헬스케어 컨퍼런스에서 2019년 청사진을 발표했다.

 

한미약품은 지난 7일부터 10일까지(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 '제37회 JP모건 헬스케어 컨퍼런스'에서 올해 R&D전략과 비전 등을 공개했다고 10일 밝혔다. 

 

JP모건 헬스케어 컨퍼런스는 전 세계 40여개국 1500여개 기업과 투자자들이 참여하는 제약·바이오분야 최고 권위 행사로, 매년 1월에 열린다. 이번 컨퍼런스에는 이관순 한미약품 부회장, 권세창 대표이사 사장, 이영미 상무이사 등 임직원들이 참석했다.

 

권세창 한미약품  대표이사(R&D 부문 총괄 사장직 겸임)는 어제(9일) 기업 설명회를 진행해, 주요 R&D과제로 ▲새로운 기전의 차세대 비만 치료 신약(HM15136) ▲NASH 치료 신약(HM15211) ▲차세대 급성 골수성 백혈병(AML) 치료제(HM43239)를 꼽았다.

 

 

한미약품에 따르면 비만 치료 신약(HM15136)은 주 1회 제형의 바이오신약 주사제로, 이미 전임상을 통해 유의미한 약동학적 변화와 탁월한 체중 감소효과가 입증됐다. 올해 2분기 임상 1상을 마치고 4분기에 2상에 돌입할 예정이다.

 

HM1521은 현재 치료제가 없는 NASH(Non-alcoholic steatohepatitis; 비알콜성 지방간 질환)의 신약으로 개발 중이다. 한미약품은 연구중인 물질에서, NASH 외에도 간섬유증 치료에도 효과가 있음을 확인했다며, 올해 3분기에 1상을 완료하고 4분기 중 임상 2상에 진입한다는 계획이다. 

 

또한 작년 10월 FDA로부터 희귀의약품 지정을 받은 급성 골수성 백혈병(AML) 치료제 HM43239은 올해 1분기 미국과 한국에서의 임상 1상을 준비 중이다.

 

혁신 항암신약 포지오티닙과 관련해, 한미약품은 중국에서 포지오티닙의 독자 임상을 추진할 계획이라고 발표했다. 전 세계 폐암 환자의 40% 이상이 거주중인 중국에서 오는 2022년 시판 허가를 목표로 삼고 있다는 것. 올해 상반기 중 중국 임상승인 신청을 할 계획이다.

 

또 ‘펜탐바디‘를 적용한 새로운 표적·면역 항암신약의 글로벌 임상도 올해 4분기부터 시작된다. 펜탐바디는 한미약품의 중국법인 북경한미약품 연구진이 개발한 이중항체 플랫폼이다.

 

해당 임상은 종양괴사인자인 ‘TNF-α‘와 자가면역체계에 관여하는 인터루킨(IL)-17A를 펜탐바디로 연결한 항암신약 후보물질에 관한 연구다.

 

권세창 사장은 “한미약품이 독자적으로 개발중인 글로벌 신약, 그리고 여러 글로벌 파트너사들과 임상을 진행중인 신약들이 빠르게 세계 시장에서 상용화될 수 있도록 노력하고 있다“고 말했다.

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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