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셀트리온제약, 셀트리온화학연구소 ‘흡수합병’ 결정

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Friday, January 25, 2019, 18:01:41

글로벌케미컬 제품 상업화에 따른 R&D·생산 부문 협업 필요성 증가
“의약품 개발·생산 협업효율↑..지속성장 기반 조성·경영 효율성↑”

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ 셀트리온제약이 자회사 셀트리온화학연구소를 합병한다.

 

셀트리온제약은 오늘(25일) 이사회를 개최해, 자회사인 셀트리온화학연구소를 합병하기로 결의했다고 25일 밝혔다. 셀트리온측은 “안정적인 지속성장 기반을 마련하고, 연구개발과 생산 부문의 유기적 협업에 기초한 경영효율 극대화를 위해” 이 같은 결정을 내렸다고 설명했다.

 

셀트리온화학연구소의 지분 100%를 보유하고 있는 셀트리온제약은 신주발행 없는 소규모 합병 방식으로 셀트리온화학연구소를 흡수합병한다. 셀트리온제약은 국내 처방 간장약 분야 매출 1위를 기록한 고덱스 등 30여종의 다양한 케미컬의약품을 생산하고 있다.

 

셀트리온제약은 지난 2015년 셀트리온그룹의 글로벌 케미컬의약품 시장 진출 계획에 따라 연 100억정 생산 규모의 케미컬의약품 생산공장을 준공한 바 있다. 해당 공장은 충북 청주 바이오산업단지 내에 위치해 있으며, 단일제형 생산공장으로는 국내 최대 규모다.

 

셀트리온제약은 작년 미국 FDA cGMP 승인과 유럽 규제기관(MHRA)의 실사를 완료하는 등 세계시장 공급을 위한 막바지 노력을 기울이고 있다. 

 

셀트리온제약측은 “이번 합병 역시 글로벌 케미컬 프로젝트(Global Chemical Project) 제품들이 상업화 되면서 늘고 있는 R&D-생산 협업 수요에 선제적으로 대응하기 위한 조치”라고 설명했다.

 

셀트리온제약은 작년 11월, 셀트리온의 첫 케미컬의약품 ‘테믹시스’의 미국 FDA 판매허가 받은 바 있다. 또한 최근 국제조달시장 공급자로 선정돼, 올해 다수의 글로벌 케미컬의약품 생산을 본격화 할 수 있을 것으로 예상하고 있다.

 

한편, 이번 합병으로 셀트리온화학연구소의 제제연구팀, 기술개발팀, 분석연구팀 등 임직원 51명은 셀트리온제약 청주공장에서 근무하게 된다.

 

셀트리온제약은 이번 합병으로 인력·조직의 통합으로 관리·운영 측면의 비용절감과 생산성 제고 효과를 기대하고 있다. 특히 제제 개발 후 상업생산을 위한 공정개발 과정에서 업무 효율성을 극대화 할 수 있을 전망이다.

 

셀트리온제약 관계자는 “케미컬의약품 공정개발 과정 가운데 연구소에서 생산 부문으로의 기술 이전(Tech Transfer)에만 통상 수개월이 소요된다”며 “이제 R&D와 생산부문이 밀접하게 협업함으로써 제형개발과 기술이전에 소요되는 시간을 단축할 수 있다”고 말했다.

 

또한 “이번 합병을 통해 향후 예정되어있는 약 20여종의 케미컬의약품 상업화 일정을 앞당기고 성공 확률을 높일 수 있을 것으로 기대한다”고 덧붙였다.

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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