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르노삼성, SM3·트위지 판매가격 인하...“전기차 대중화 앞장”

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Monday, February 18, 2019, 13:02:56

SM3 Z.E, 250만원 내리고 100만원 상당 편의사양 추가

인더뉴스 박경보 기자ㅣ 르노삼성자동차가 SM3 Z.E.와 르노 트위지의 가격을 인하해 전기차 대중화에 앞장선다. 연식 변경된 SM3 Z.E는 사양을 대폭 강화하고도 250만원이 내려갔고, 초소형 전기차인 트위지도 70만원이 인하됐다. 

 

르노삼성차는 2019년형 SM3 Z.E.의 판매 가격을 등급별로 3700만원과 3900만원에 책정했다고 18일 밝혔다. SM3 Z.E.는 내·외장 디자인이 개선됐고 8인치 스마트 커넥트II 내비게이션도 신규 적용됐다. 100만원 상당의 사양이 추가되면서 실질적인 고객 혜택은 총 350만원에 이른다.

 

새로 적용된 내비게이션은 기존 7인치에서 8인치로 화면이 커졌고 풀 미러링, 멀티터치 스크린 기능도 추가됐다. 업그레이드된 어플리케이션을 통해 충전 상태 정보, 인근 충전소 위치와 정보, 주행가능거리, 에너지 흐름 및 소비 정보 등 각종 주행관련 정보를 확인할 수 있다.

 

외관도 블랙 베젤 헤드램프, 블랙 루프와 블랙 사이드 미러, 다크 크롬 리어콤비네이션 램프가 새롭게 추가됐다. 실내 디자인은 블루 스티치와 블루 스피커 데코로 꾸며 친환경성을 강조했다. 
 
35.9kWh급 배터리를 탑재한 2019년형 SM3 Z.E.는 1회 충전 시 주행거리 213km이다. 국내 승용차 1일 평균 주행거리가 40km인 점을 감안할 때, 한 번만 충전해도 충전 약 5일간 주행할 수 있다.

 

또 지난해 1498대가 팔려 전년 대비 두 배 이상 성장한 트위지는 1430만원~1480만원에 판매된다. 초소형 전기차인 트위지는 길이 2338㎜, 폭 1237㎜, 높이 1454mm에 불과해 운전과 주차가 편리하다. 에어백과 디스크 브레이크, 4점식 안전벨트, 탑승자 보호 캐빈 등을 갖춰 안전성까지 확보했다. 
 

트위지는 일반가정용 220V 콘센트로 충전이 가능하며 완충 시 55㎞에서 최대 80㎞까지 주행 가능하다. 최고 80㎞/h의 속도로 달릴 수 있고 카고 트림은 뒷좌석을 트렁크로 대체해 최대 180ℓ, 75㎏까지 화물을 적재할 수 있다. 

 

한편 르노삼성차는 고객들이 전기차에 대한 걱정을 덜 수 있도록 8년 이내 또는 주행거리 16만km 조건으로 배터리 용량 70%를 보증한다. 충전 문제 발생시 AS 출동 서비스 및 충전기 제휴업체와의 공동대응 등 고객들의 충전 불편을 최소화할 수 있는 체계도 함께 구축했다. 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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