인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 그간 쌓아온 HBM 기술력을 바탕으로 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 개발에 박차를 가합니다.

SK하이닉스는 자사 뉴스룸을 통해 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장과의 인터뷰를 5일 공개했습니다.

이 부사장은 인터뷰에서 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라 밝혔습니다.

HBM은 D램 여러 개를 적층해 제작하는 방식이기에 발열, 휨 현상 등을 막기 위한 패키징 기술이 핵심적입니다.

SK하이닉스는 지난 2019년 MR-MUF 기술을 3세대인 HBM3E에 적용하는 데에 성공하며 HBM 시장을 선도하기 시작했습니다. MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정 기술입니다.

회사는 이어서 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 'HBM 성공신화'를 계속 써내려가고 있습니다. 특히, 12단 HBM3부터는 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'를 적용한 것이 주효했다고 이 부사장은 평가했습니다.

어드밴스드 MR-MUF는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술입니다.

이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"며 "이러한 한계를 극복하기 위해 회사는 기존의 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다"고 설명했습니다.

이어 "이 기술은 하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며 이후 활용 범위는 더 넓어질 것"이라고 덧붙였습니다.

이 부사장은 이러한 HBM 개발의 공적을 인정받아 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구대상'을 수상했습니다.