인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔습니다.

SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"고 강조했습니다.

또한, "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 덧붙였습니다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했습니다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있었다고 설명했습니다.

아울러 EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했습니다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰습니다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌으며 전력효율은 9% 이상 개선됐습니다. 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있습니다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 말했습니다.