인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP Ecosystem Forum 2024(이하 OIP 포럼)에 참가했다고 26일 밝혔습니다.

 

이번 행사에 처음 참여한 SK하이닉스는 자사 HBM3E와 엔비디아(nVIDIA) H200 칩셋 보드를 함께 전시하며 이 칩셋 제조사인 TSMC와의 전략적 파트너십을 강조했습니다. 또한, 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개하기도 했습니다.

 

OIP(Open Innovation Platform)는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼입니다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있습니다.

 

TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 행사를 개최합니다. 지난해에는 6개 지역에서 150개 이상의 전시와 220개 이상의 발표가 진행됐으며 5000여명의 관계자가 모여 기술 교류를 펼쳤습니다.

 

SK하이닉스는 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 부스를 열고 전략 제품을 전시했습니다. 글로벌 No.1 HBM, AI/데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였습니다.

 

 

특히, 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 'H200'을 공동 전시했습니다. 이를 통해 회사는 고객사·파운드리·메모리 기업의 기술 협력을 부각했습니다.

 

'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 가진 AI 메모리입니다.

 

AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개했습니다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 냅니다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대됩니다.

 

이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했습니다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였습니다.

 

이날 포럼에서는 수많은 기술 발표가 진행됐으며 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션 발표자로 무대에 올랐습니다.

 

그는 'HBM 품질 및 신뢰성 향상을 위한 2.5D SiP 공동연구'를 주제로 발표에 나서며 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해 TSMC와의 기술 협업 뿐만 아니라 여러 업체와의 협업 또한 중요하다는 것을 강조했습니다.

 

이번 발표에서 이 TL은 SK하이닉스의 HBM4 개발 방향 및 비전을 언급하며 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했습니다.

 

SK하이닉스는 TSMC 3D패브릭 얼라이언스 워크샵에도 참여, 활발한 기술 교류를 펼치며 기업과의 관계도 강화했습니다. 이는 TSMC가 3D 패키징 기술 고도화를 위해 발족한 것으로 차세대 패키징 기술 관련 기업들은 이 네트워크를 통해 대규모 협력을 맺고 있습니다.