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“택시 타는 용의자 쫓아 100m 질주하면서 경찰에 신고했죠”

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Tuesday, March 19, 2019, 16:03:36

GS25 직영팀 석예담 사원, 사기 용의자 쫓아가며 경찰 신고..경찰 표창 수상·CEO 자필편지 받아

인더뉴스 주동일 기자ㅣ “택시 쫓아 전속력으로 100미터 정도 뛰면서 차량 번호를 경찰에게 반복해 외쳤죠.”

 

GS리테일이 운영하는 GS25의 직영팀 신입사원이 사기 피의자를 쫓아 지난 2월 26일 검거에 결정적인 역할을 했다. 주인공은 석예담 사원(28세)이다. 석 사원은 회사의 방침에 따라 1년 동안 GS리테일 직영점을 순환 근무 중이다. 

 

사건이 일어난 장소는 목동 근처 GS25이다. 석 사원은 퇴근길에 매장 앞에서 수상한 행동을 하는 살람을 목격했다. 그는 “매장 밖에서 내부를 살피며 불안하게 두리번거리는 것을 보고 지난 주 회의시간에 영업 관리자로부터 공유 받았던 사기 사건 관련 내용을 떠올렸다”고 설명했다.

 

GS25는 각 매장에서 범죄·사건사고가 발생할 때마다 해당 영업팀에서 범죄 내용과 용의자 인상착의를 공유한다. 대처·예방 방법을 함께 안내해 또 발생할지도 모르는 범죄를 미리 방지하기 위해서다.

 

석 사원은 “키와 복장 등 인상착의가 전달받았던 사기 용의자의 비슷하다고 판단했다”며 “하지만 단순한 의심 만으로는 사기 용의자가 맞는지 판단할 수가 없어 조용히 뒤를 따라갔다”고 설명했다.

 

이어 용의자로 추정되는 인물이 약 10분간 7개의 편의점에 들리는 것을 보고 석 사원은 범인임을 확신한 후 곧바로 경찰에 신고했다. 그는 “범인의 행방을 놓치지 않기 위해 계속해서 빠르게 따라붙으며 경찰관과 통화로 현재 위치를 실시간으로 알렸다”고 했다.

 

하지만 용의자가 갑자기 택시를 잡아 타 석 사원으로부터 멀어지기 시작했다. 이 때 석 사원은 기지를 발휘했다. 그는 “범인을 절대 놓치면 안된다고 생각해 택시를 쫓아 100미터 가량을 전속력을 다해 뛰어가며 차량 번호를 경찰에게 반복해 외쳤다”고 말했다.

 

마침 용의자가 탑승한 택시 맞은편에서 신고를 받고 출동한 경찰차가 도착했고 경찰은 주변 일대 차량 전체를 멈춰 세운 후 택시에 탄 범인을 검거했다. 석 사원의 신고가 검거에 결정적인 도움을 준 것이다.

 

석 사원의 도움으로 검거된 용의자는 수십 건의 사기 행각을 벌인 것으로 알려졌다. GS25 뿐만 아니라 범행 지역에 있는 다양한 브랜드의 편의점을 하나씩 들려 신분을 사칭하는 식이었다.

 

서울 양천경찰서는 사기 피의자 검거에 결정적인 역할을 한 공로를 인정해 석 사원에게 표창장을 3월 6일 전했다. GS리테일 역시 책임감과 사명감으로 범인 검거를 위해 최선을 노력을 다한 석 담당자에게 CEO 명의의 감사카드와 자필 편지를 전달하며 격려했다.

 

석 사원은 “용의자임을 확신한 순간 ‘잡아야 한다’는 생각밖에 들지 않았고 놓치면 안된다고 판단해 끝까지 뒤쫓았다”며 “저의 작은 관심과 노력으로 더 큰 피해를 막을 수 있었다고 생각하니 뿌듯하며, 앞으로도 주변을 세심하게 살필 수 있도록 노력하겠다”고 말했다.

 

박정현 GS리테일 조직문화서비스팀 팀장은 “위험할 수도 있었던 상황에서 범인을 추격했던 석 담당자의 용기를 진심으로 칭찬한다”며 “범죄·사건사고를 예방할 수 있는 프로세스를 구축하고 지역 사회에 도움이 될 수 있는 다양한 사회공헌 활동을 펼쳐나가겠다”고 했다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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