인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 미국 인디애나 주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지를 건설하고 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔습니다.

SK하이닉스는 현지시간 3일 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대학교에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미국 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했습니다. 회사는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자할 계획입니다.

SK하이닉스는 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔습니다.

또한 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였습니다.

AI 산업의 성장으로 HBM(고대역폭메모리) 등 초고성능 메모리 수요가 급증함에 따라 SK하이닉스는 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 검토 끝에 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했습니다. 선정 배경으로는 ▲주 정부가 투자 유치에 적극 나선 점 ▲지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부한 점 ▲반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점 등의 요소가 선정의 주된 이유라고 SK하이닉스는 설명했습니다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했습니다.

SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정입니다.

한편 SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 예정대로 진행할 것이라 설명했습니다. SK하이닉스가 120조원을 투자한 용인 반도체 클러스터는 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년초 완공하고 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설할 계획입니다.