인더뉴스 이종현 기자ㅣ“SK하이닉스는 기술력은 물론, 고객 관계 및 품질 측면에서도 계속해서 혁신을 시도했습니다. 마침내 압도적인 성능과 특성을 앞세운 HBM3로 높은 시장 점유율을 확보했고, HBM 1위의 지위를 확실히 인정받게 되었습니다.”

SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM) 기술개발 주역인 박명재 부사장이 27일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "압도적인 성능과 특성을 앞세운 HBM3로 높은 시장점유율을 확보했고, 올해 3월에는 HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급했다"며 이같이 말했습니다.

박 부사장은 또 삼성 인력이 SK하이닉스로 넘어와 HBM 기술을 개발했다는 루머에 대해 ‘사실무근’이라고 일축했습니다.

박 부사장은 “경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다”며 “SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술로 우리의 기술력이 그만큼 대단하기에 헛된 루머가 돌 정도로 유명세를 치렀다고 생각한다”고 말했습니다.

SK하이닉스는 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 실리콘관통전극(TSV) 기술에 주목해 HBM 개발에 약 4년의 시간을 들였고 그 결과 2013년 12월 첫 HBM을 세상에 내놓게 됐다고 설명했습니다.

박 부사장은 "2010년대 중후반 HBM 설계 조직은 공공연히 '오지'로 불렸으며 이 사업에 대한 업계의 비관론도 쏟아졌다"며 "하지만 우리의 고유 기술력을 보여줄 기회라 생각했고 이는 HBM2E를 비롯한 후속 제품 개발의 원동력이 됐다"고 말했습니다.

2020년대 들어 HBM3 주도권 경쟁이 치열해지는 가운데 SK하이닉스는 공격적인 기술 개발 및 투자로 1위 자리를 공고히 했습니다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 전 세계 HBM 시장점유율은 SK하이닉스 53%, 삼성전자 38%, 미국 마이크론 9% 순이었습니다.

박 부사장은 "SK하이닉스는 설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높이고, 개발 및 양산 초기부터 고객사와 협력하는 등 많은 노력을 기울였다"며 "특히 패키지, 미래기술연구원 등 구성원 모두가 '원 팀'이 돼 기술 혁신에 매진해 온 것도 큰 역할을 했다"고 전했습니다.

SK하이닉스는 6세대 HBM인 HBM4의 양산을 당초 계획보다 1년 앞당긴 내년에 시작할 계획입니다. 맞춤형 제품인 HBM4부터는 파운드리 업계 1위 대만 TSMC와의 협력도 더욱 강화될 전망입니다.