인더뉴스 이종현 기자ㅣ"AI용 초고속 D램 HBM에 이어 당사는 10나노 6세대 기술 개발도 가장 먼저 해냄으로써 D램 1등 기술력을 확고히 인정받게 됐다"

 

SK하이닉스[000660]는 지난달 29일 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 발표하며 이와 같이 강조했습니다.

 

SK하이닉스는 뉴스룸을 통해 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 임직원들과 함께 회사의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔습니다.

 

좌담회에는 오태경 SK하이닉스 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했습니다.

 

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술입니다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며 전력 효율은 9% 이상 개선됐습니다.

 

성능뿐만 아니라 SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈습니다.

 

1c 기술로 ‘세계 최초’라는 타이틀을 달성할 수 있었던 배경에 대해 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'"이었다고 답했습니다.

 

이어서 "기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했으며 커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했다"며 "덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 설명했습니다.

 

유기적인 협업을 바탕으로 하는 SK하이닉스의 '원팀(One Team)' 정신에 대해서도 강조했습니다.

 

정창교 부사장은 "많은 기술적 도전을 극복하기 위해 각 조직이 긴밀하게 협력하여 문제를 조기 발견했고 해결했다"며 "특히, DRAM PE 조직이 스크린 최적화를 진행하는 과정에서 설계 및 공정 조직과의 긴밀한 협업이 핵심적인 역할을 했다"고 밝혔습니다.

 

1c 기술은 차세대 D램 제품군에 폭넓게 적용된다는 의의를 가진 만큼 해당 기술을 기반으로 차세대 D램 기술에 대한 방향성에 대해서도 임직원들은 언급했습니다.

 

손수용 부사장은 "1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했다"면서도 "1c DDR5는 시작일 뿐으로 앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용되어 지속가능한 성장과 혁신을 이끌어갈 것이며 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것이라 기대한다"고 말했습니다.

 

조영만 부사장은 "D램 기술은 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것이라 예상된다"며 "이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요할 것"이라 강조했습니다.

 

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획입니다.

 

김형수 부사장은 "SK하이닉스의 1c DDR5는 앞으로 고성능 서버 시스템의 기준이 될 것이고, 압도적인 기술력으로 시장을 선도할 것"이라며 "앞으로도 세계 최고라는 타이틀을 지켜나갈 수 있도록 함께 노력하겠다"고 전했습니다.