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지성규 신임 KEB하나은행장, 25일 윤석헌 금감원장 만난다

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Thursday, March 21, 2019, 17:03:06

취임 기자간담회 자리서 언급..함영주 전 행장도 동행 예정
디지털·글로벌 ‘양 날개’ 강조..“중국은 매직” 예찬론 펼쳐 눈길

[인더뉴스 정재혁 기자] 지성규 신임 KEB하나은행장이 오는 25일 윤석헌 금융감독원장을 찾아간다. 전임 행장인 함영주 하나금융지주 부회장도 동행한다.

 

지 신임 행장은 21일 KEB하나은행 본점 지하 강당에서 열린 취임 기자간담회에서 “25일에 함영주 전 행장과 함께 금감원을 방문해 윤석헌 원장을 만날 예정”이라고 말했다.

 

앞서 금감원은 함 전 행장이 3연임을 시도하자 ‘법률리스크’를 거론하면서 사실상 이를 좌절시킨 바 있다. 함 전 행장은 현재 ‘채용비리 사태’와 관련해 공판 중인 상태다.

 

이러한 상황을 의식한 듯 지 행장은 금감원과의 갈등 관련 질문에 “실제로 갈등이 있다고 보지 않는다”며 선을 그었다. 이어 “은행 산업의 발전을 위해 감독당국과 금융기관이 잘 소통해야 한다”며 “그 부분에 대해 대외적으로 오해가 없게끔 최선을 다하겠다”고 덧붙였다.

 

최근 불거진 중국민성투자그룹 투자 손실 문제와 관련해선 “전혀 걱정할 게 없다”고 답했다. 리스크관리가 잘 이뤄져 있고, 중국 정부도 유동성을 지원하기로 결정했기 때문에 문제될 것이 없다는 입장이다.

 

하나금융 내 ‘중국통’으로 평가받는 지 행장은 이번 사태를 설명하면서 ‘중국 예찬론’을 펼쳤다. 지 행장은 “중국은 미묘한, 매직(마술)이 있는 그런 나라”라며 “중국 정부가 일단 방향성을 정하면 불가능해 보이던 일도 금방 성사되기 때문에 상당히 효율적”이라고 말했다.

 

아울러 “만약 이번 사태와 유사한 일이 국내에서 발생했으면 상당히 큰 문제가 됐을 수 있다”며 “중국은 정부가 방향을 정하면 틀림없이 문제가 해소되고 일이 진행되기 때문에 오히려 신뢰성이 높을 수 있다”고 평가했다.

 

한편 지 행장은 향후 은행의 목표로 ▲디지털 전환(DT)을 통한 데이터 기반 정보회사로의 전환 ▲글로벌 은행 도약 ▲손님 행복 은행 ▲직원이 행복한 은행 등 4가지를 언급했다.

 

특히, 디지털 전환과 관련해선 “내년까지 1200명의 내부 디지털 인력을 양성하겠다”고 공언했다. 실제로 하나은행은 인천 청라지구에 마련한 그룹 통합 데이터센터에 근무할 내부 인력을 수시로 모집 중이다.

 

지 행장은 이어 글로벌 은행으로의 성장과 관련해서도 “2000명의 글로벌 인재 양성을 이미 시작했다”고 전했다. 글로벌 역량 강화를 위해 현지 인력의 양성·채용을 늘리고, 글로벌 현지화를 이뤄내 해외 영업 기반을 넓힌다는 복안이다.

 

은행의 장기적 관점과 경영철학을 묻는 질문엔 ‘날개’와 ‘바퀴’ 등 다소 추상적인 표현을 사용해 눈길을 끌었다. 지 행장은 “성장과 관련해선 디지털과 글로벌을 양 날개로 달고, 조직 안정은 소통과 배려라는 두 바퀴를 땅에 붙이고 나아갈 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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