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Personnel 인사·부고

[인사] BNK금융

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Thursday, July 01, 2021, 17:07:32

 

▲BNK금융지주


◇ 부장대우 승진 


▲재무기획부 노정화 (이상 1명) 

 

◇ 3급 승진


▲CIB기획부 방용 ▲리스크관리부 이홍래 ▲연금/신탁기획부 강영훈 ▲전략기획부 남준영 (이상 4명)  

 

◇ 4급 승진


▲글로벌기획부 이강보 (이상 1명) 

 

▲BNK부산은행


◇ 부실점장 승진


▲부울경여신영업센터 센터장 김철민 ▲부울경여신영업센터 부장대우 장경상 ▲여신심사부 부장대우 김학순 ▲인사부 부장대우 송기열 ▲투자금융2부 부장대우 감효석 (이상 5명)

 

◇ 부실점장 전보


▲WM고객부 이근욱 ▲김해상동지점 정성훈 ▲부천지점 박용경 ▲수도권여신영업센터 이성희 ▲장전동지점 유성로 ▲전포카페거리지점 이화진 ▲카드사업부 장명수 (이상 7명)

 

◇ 3급 승진


▲IB심사부 박진욱 ▲IT기획부 박상일 ▲강남지점 김태완 ▲검사부 이운광 ▲구서동금융센터 김동광 ▲구포금융센터 정다겸 ▲금융시장지원부 유한중 ▲김해금융센터 이정용 ▲디지털금융개발부 안도형 ▲미남지점 구비송 ▲부전동금융센터 김영중 ▲삼산동지점 신두만 ▲신창동지점 정현석 ▲여신심사부 이정웅 ▲여신심사부 양정호 ▲중앙동금융센터 강태연 ▲총무부 서준영 ▲프로세스혁신부 김유옥 (이상 18명)

 

◇ 4급 승진


▲IT개발부 박호 ▲WM상품부 허준민 ▲감전동지점 김성회 ▲금융소비자보호부 신보혜 ▲당리동지점 이경진 ▲대연동금융센터 김은희 ▲대저동지점 박민진 ▲디지털상담부 강무수 ▲디지털전략부 안덕준 ▲리스크관리부 이도호 ▲마케팅추진부 문지영 ▲마케팅추진부 서영진 ▲언택트영업부 강태훈 ▲연서지점 이채영 ▲외환사업부 정지예 ▲장유지점 박상준 ▲재무기획부 신승용 ▲청학동지점 김정규 ▲투자금융1부 김현우 ▲프로세스혁신부 안창엽 ▲하단동금융센터 송명진 ▲해운대금융센터 이아름 (이상 22명)

 

◇ 5,6급 승진


▲가야동지점 마승희 ▲감천중앙지점 최정은 ▲개금동지점 고현진 ▲개금동지점 김나영 ▲구포금융센터 유나영 ▲내외동지점 도한샘 ▲대연동금융센터 김주희 ▲덕포동지점 진슬기 ▲명장동지점 안지원 ▲모라동지점 심희진 ▲반여동금융센터 전지현 ▲반여동금융센터 양지수 ▲부산국제금융센터지점 정수진 ▲사상금융센터 김재희 ▲서면롯데1번가지점 박윤영 ▲선수촌지점 이민정 ▲수안동지점 주지은 ▲수원지점 류가현 ▲신탁사업단 김현애 ▲양산영업부 정진화 ▲연산동금융센터 곽민서 ▲영선동지점 최선혜 ▲용호동지점 이효진 ▲울산금융센터 이재현 ▲잠실지점 최진수 ▲전포역지점 김성호 ▲카드사업부 김소희 ▲팔송지점 신미애 ▲하단동금융센터 최나래 ▲해운대우동지점 김은혜 

 

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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