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[인사] 미래에셋증권

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Monday, November 22, 2021, 17:11:06

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ<미래에셋증권>

◇ 상무보 승진

▲ 투자센터서초WM 이성우 ▲ 투자센터잠실WM 박정욱

◇ 이사대우 승진

▲ 투자센터여의도WM4팀 구본진 ▲ 방배WM 김지선 ▲ 갤러리아WM 이정훈 ▲ 갤러리아WM 이영 ▲ 투자센터목동WM1팀 심현미 ▲ 디지털구로WM 김남수 ▲ 마곡WM 이진영 ▲ 용산WM 이춘호 ▲ 제주WM 양상진 ▲ 안산WM 이승철 ▲ 동래WM 송현호 ▲ 사하WM 하승균 ▲ 서울산WM 홍진교 ▲ 진주WM 유치억 ▲ 투자센터대구WM3팀 최재완 ▲ 구미WM 편태식 ▲ 서대구WM2팀 황보석 ▲ 북대구WM 하호철 ▲ 투자센터판교WM2팀 이성진 ▲ 삼성역WM 구교민 ▲ 대치WM 이성민 ▲ 방이역WM 하상범 ▲ 투자센터광화문WM 최용호 ▲ 투자센터광화문WM1팀 김태우 ▲ 건대역WM 황순언 ▲ 노원WM1팀 장현구 ▲ 성동WM 송연리 ▲ 성동WM1팀 최미경 ▲ 투자센터평촌WM 구본국 ▲ 수원WM 최지선 ▲ 영통WM 서현수 ▲ 강릉WM 사재복 ▲ 원주WM 박재욱 ▲ 투자센터광주WM1팀 이성은 ▲ 투자센터대전WM2팀 박건순 ▲ 투자센터대전WM 김용우 ▲ 목포WM 추태선 ▲ 천안아산WM 홍수오 ▲ m.Smart자산센터2 최경신

◇ WM팀장

▲ 투자센터여의도WM5팀 정은경 ▲ 투자센터여의도WM6팀 강현주▲ 투자센터서초WM1팀 최희정 ▲ 투자센터서초WM2팀 이정훈 ▲ 투자센터서초WM3팀 장의성 ▲ 강남역WM2팀 배준영 ▲ 압구정WM1팀 전해진 ▲ 압구정WM2팀 김민주 ▲ 마포WM1팀 석재은 ▲ 마포WM2팀 신형목 ▲ 투자센터목동WM2팀 양승범 ▲ 투자센터목동WM3팀 김경태 ▲ 마곡WM1팀 이태희 ▲ 마곡WM2팀 전은진 ▲ 디지털구로WM1팀 윤지현 ▲ 디지털구로WM2팀 박창운 ▲ 일산WM1팀 한기일 ▲ 일산WM2팀 염현순 ▲ 부천WM1팀 조아라 ▲ 부천WM2팀 이소란 ▲ 인천WM1팀 방은영 ▲ 인천WM2팀 정승원 ▲ 투자센터부산WM2팀 박양훈 ▲ 투자센터부산WM3팀 이운상 ▲ 투자센터부산WM4팀 박찬기 ▲ 투자센터창원WM1팀 박기언 ▲ 투자센터창원WM2팀 박재연 ▲ 투자센터창원WM3팀 강지수 ▲ 투자센터창원WM4팀 김현주 ▲ 거제WM1팀 정장욱 ▲ 거제WM2팀 장용호 ▲ 동래WM1팀 김태원 ▲ 동래WM2팀 김동민 ▲ 사하WM3팀 허수관 ▲ 사하WM4팀 선창권 ▲ 해운대WM3팀 탁주태 ▲ 해운대WM4팀 오유택 ▲ 울산WM3팀 김대웅 ▲ 서대구 WM3팀 장동식 ▲ 포항WM1팀 김지년 ▲ 투자센터판교WM3팀 박희경 ▲ 투자센터판교WM4팀 최선이 ▲ 투자센터판교WM5팀 이종훈 ▲ 분당WM1팀 장희영 ▲ 분당WM2팀 김지엽 ▲ 분당WM3팀 유한필 ▲ 삼성역WM1팀 구교민 ▲ 삼성역WM2팀 이미란 ▲ 테헤란밸리WM1팀 박봉균 ▲ 테헤란밸리WM2팀 김희용 ▲ 테헤란밸리WM3팀 장기영 ▲ 투자센터잠실WM1팀 김기청 ▲ 투자센터잠실WM2팀 김태윤 ▲ 투자센터잠실WM3팀 김명실 ▲ 송파WM1팀 도규상 ▲ 송파WM2팀 주영훈 ▲ 대치WM1팀 윤이빈 ▲ 대치WM2팀 박영주 ▲ 도곡WM1팀 이연화 ▲ 도곡WM2팀 홍송금 ▲ 투자센터광화문WM1팀 김태우 ▲ 투자센터광화문WM2팀 조정렬 ▲ 투자센터광화문WM3팀 김미숙 ▲ 노원WM1팀 김태윤 ▲ 노원WM2팀 김은경 ▲ 명동WM1팀 최동호 ▲ 명동WM2팀 박찬규 ▲ 성동WM2팀 우성수 ▲ 수원WM1팀 조경상 ▲ 수원WM2팀 이승하 ▲ 투자센터평촌WM1팀 민원홍 ▲ 투자센터평촌WM2팀 김혜현 ▲ 천안아산WM1팀 김영준 ▲ 천안아산WM2팀 신현수 ▲ 청주WM1팀 이원녕 ▲ 청주WM2팀 윤주현 ▲ 투자센터대전WM2팀 서경석 ▲ 투자센터대전WM4팀 서정길 ▲ 상무WM1팀 최규정 ▲ 상무WM2팀 위성숙 ▲ 전주WM1팀 성영국 ▲ 전주WM2팀 박성호 ▲ 투자센터광주WM2팀 이주진 ▲ 투자센터광주WM3팀 최홍희

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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