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서울서 분양가 2000만 원…도심복합사업 예정지구 4곳 지정

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Wednesday, October 27, 2021, 11:10:05

2·4 대책 발표 이후 첫 예정지구 발표
증산4구역·연신내역·쌍문역동측·방학역
분양가 3㎡당 평균 1931∼2257만원 추정

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ서울 도심 내 평균 분양가가 2000만 원 초반인 재개발 사업이 가시화 되었습니다. 

 

국토교통부는 지난 2월4일 발표한 '3080+ 대도시권 주택공급방안'(2·4 대책)에 따라 관련 사업 선도후보지로 선정된 서울시 내 증산4구역·연신내역·쌍문역동측·방학역 등 4곳을 도심 공공주택 복합사업(도심복합사업) 예정지구로 지정한다고 27일 밝혔습니다.

 

도심복합사업은 2·4 대책의 핵심사업으로 그동안 도심내 주택공급이 민간 위주로 이루어지던 것을 공공이 참여해 다양한 인센티브를 제공하는 것이 골자입니다. 특히 원주거민들이 부담 가능한 가격의 분양주택을 획기적인 속도로 대량 공급하고, 원주거민들의 분담금을 낮춤으로써 공익성도 확보하는 새로운 주택공급 모델입니다.

 

국토교통부가 4곳 후보지의 일반 분양가격을 추정한 결과, 인근 시세의 60% 수준인 3.3㎡당 평균 1931∼2257만원이 될 것으로 예상했습니다.

 

도심복합사업 중 최초로 예정지구 지정이 되는 은평구의 증산4구역은 후보지 중 가장 빨리 지구지정 요건인 주민 동의율 3분의 2 이상을 확보할 정도로 주민들의 호응이 높았습니다. 도봉구의 쌍문역동측(81%)과 방학역(75%), 은평구의 연신내역(67%) 등 3개 선도후보지도 주민동의율 요건을 갖춰 오는 29일 예정지구로 지정됩니다.

 

이번에 예정지구로 지정하는 증산4 등 4개 구역에 대한 부동산 실거래 조사 결과, 총 10건의 위법의심 거래를 확인했으며 이를 국세청, 금융위, 관할지자체 등 관계기관에 통보할 계획입니다.

 

국토교통부는 지난 9월 21일 도심복합사업을 도입하는 공공주택특별법이 시행되고 난 후, 불과 약 40일 만에 첫 예정지구 지정이 이루어짐에 따라 앞으로의 사업 과정도 탄력을 받을 것으로 기대하고 있습니다.


국토교통부는 예정지구로 지정하는 4곳은 연내 본 지구지정까지 완료한다는 방침입니다. 이 경우 후보지 발표 후 9개월만에 본 지구를 지정하는 셈입니다. 기존 도심 내 재개발사업의 경우 정비구역 지정이 평균 약 5년이 걸리는 것과 비교했을 때 도심내 주택사업으로서는 전례를 찾기 어려울 만큼 빠른 진행 속도입니다.

 

도심 복합사업은 공공이 사업에 직접 참여하지만 주민에게 민간브랜드 선정, 주민대표회의 운영 및 신규 아파트 우선공급 등 민간 재개발사업 수준의 주민선택권을 보장하는 것이 특징입니다. 이를 위해, 예정지구로 지정되면 토지소유자 과반수 동의를 통해 주민대표회의를 구성하고, 공공주택사업자가 운영비도 지원할 계획입니다.

 

남영우 국토부 공공주택추진단장은 “이번 증산4구역 등 4곳의 예정지구 지정은 도심 공공주택 복합사업 뿐 아니라 2·4 대책의 본격적인 추진을 알리는 것으로 그 의미가 크다”며 “증산4구역 등 4곳은 연내 본 지구지정을 완료하고, 주민호응이 높은 다른 후보지에 대해서도 연내 예정지구를 지정하는 등 사업을 차질 없이 추진해 나가겠다”고 말했습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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