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‘신한은행 채용비리’ 조용병 회장, 첫 공판..혐의 전면 부인

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Monday, November 19, 2018, 16:11:43

서울동부지법서 공판 진행...업무방해‧남녀고용평등법 위반 등 모두 부정해

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 지난 2015년~2016년 사이 신한은행장 재직 당시 신입사원 채용비리 의혹이 제기된 조용병 신한금융그룹 회장이 첫 재판에서 혐의 사실을 전면 부인했다.

 

19일 오후 2시 서울동부지법 제12형사합의부(부장판사 정창근) 심리로 진행된 이날 공판에서 조 회장은 업무방해, 남녀고용평등법 위반 등 검찰의 공소 사실을 모두 부정했다. 서울 동부지검은 지난 1일 조 회장을 위 언급된 위반 혐의로 불구속 기소한 바 있다.

 

조 회장 측 변호인은 “피고인(조 회장)은 이 사건의 공동 피고인들과 채용비리를 공모한 사실이 없고, 합격권이 아닌 자를 합격 시키도록 지시하거나 남녀 비율을 맞추도록 시킨적 없다”며 “피고인은 채용 과정에서 채용을 처음 계획한 것 외에 그 과정에 개입하지 않았다”고 말했다.

 

조 회장은 신한은행장으로 재임했던 2015년 상반기부터 2016년 하반기까지 지원자 30명의 점수를 조작하고, 남녀 성비를 맞추기 위해 지원자 101명의 점수를 조작한 혐의를 받고 있다. 해당 기간 중 점수가 조작된 지원자 154명 가운데 131명이 조 회장과 관련돼 있다는 게 검찰 측 주장이다.

 

이어 조 회장 측은 “현재 신한은행에서 일하는 직원이 1만 4000명에 달하고, 신입사원 채용업무는 피고인이 관장하는 다양한 업무들 중 하나에 불과하다”며 “피고인이 채용 과정에 개입했다는 검찰 측의 주장은 은행의 채용 프로세스를 이해한다면 맞지 않다”고 말했다.

 

외부인의 청탁 혐의에 대해서도 모두 부정했다. 다만, 채용 과정에서 일부 지인들이 조 회장에게 채용 결과에 대해 문의해 오는 경우, 답변을 해주기 위해 몇몇 지원자의 지원 결과를 알려달라고 말한 적은 있다고 인정했다.

 

이와 관련 조 회장 측은 “피고인이 채용 과정에서 외부에서 연락이 오면 몇몇 지원자의 결과를 알려달라 말한 적은 있다”며 “하지만, 이것만 가지고선 공모했다고 보기 어렵고, 실제로 결과를 알려달라고 한 지원자 상당수가 불합격했기 때문에 기소 사실과 다르다”고 말했다.

 

한편, 구속 기소된 실무자인 당시 인사부장 김 모씨를 제외한 7인(법인 신한은행 포함)은 모두 검찰의 주요 기소 사실을 부인했다.

 

특히, 증거 인멸 혐의를 받고 있는 이 모 씨(전 인사팀 과장)의 변호인은 “피고인은 증거 인멸 혐의를 받는 2016년 하반기 신입행원 평가자료가 본인의 컴퓨터에 저장돼 있다는 사실조차 몰랐다”며 “작년 12월 채용대행업체인 인크루트에 자료를 삭제할 것을 요청한 것도 업무의 일환이었다”고 기소 사실을 부정했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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