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LG화학, ESG 유망기업 육성 펀드에 1500억원 투자한다

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Tuesday, May 11, 2021, 14:05:32

4000억원 이상 조성 계획인 KBE Fund 핵심 투자자로 참여

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣLG화학이 ESG 유망 기업 육성 펀드에 핵심 투자자로 참여하며 배터리 소재, 친환경 소재 분야 국내기업 발굴 및 육성에 나섭니다.

 

LG화학(대표 신학철)은 국내 사모펀드 운용사 IMM크레딧솔루션이 운영하는 KBE(Korea Battery & ESG) Fund의 핵심 투자자(Anchor Limited Partner)로 1500억원을 출자한다고 11일 밝혔습니다. LG화학이 외부 자산운용사가 조성하는 펀드에 핵심 투자자로 참여하는 것은 이번이 처음입니다.

 

KBE Fund는 4000억원 이상으로 조성될 계획이며 ESG 산업 관련 분야에서 기술력 있고 성장 잠재력이 높은 국내 기업을 발굴하고 투자를 통해 육성해 나간다는 계획입니다.

 

우선적으로 투자를 검토하는 주요 영역은 ▲양극재·음극재 제조, 배터리용 주요 금속 재활용 등 전기차 배터리 핵심 소재 ▲폐플라스틱 등 고분자 제품 재활용, 바이오 플라스틱 기술 등을 포함한 친환경 산업 소재 분야입니다.

 

LG화학이 보유한 산업·기술적 전문성과 IMM크레딧솔루션의 기업 분석·발굴 역량이 결합돼 ESG 관련 산업 전반을 폭넓게 조망하고 관련 유망 기업의 초기단계부터 투자 기회를 발굴할 수 있을 것으로 기대됩니다.

 

LG화학은 ESG경영 가속화를 위해 ▲양극재 등 전지소재 ▲바이오 플라스틱과 같은 지속가능 솔루션(sustainable solution) ▲경량화, 전장화 등 이모빌리티(e-mobility) 소재를 차세대 성장동력으로 선정하고 육성하고 있습니다.

 

IMM크레딧솔루션은 국내 대표 사모펀드 운용사 IMM PE의 100% 자회사로 전기차 소재, 화학 업계의 투자 경험과 관련 자문사, 전문가, 기업 등에 폭넓은 네트워크를 보유한 전문인력으로 구성돼 있습니다.

 

LG화학은 올해 첨단소재 육성을 목표로 배터리 소재 관련 인원만 세 자리 수 규모로 선발하기로 하고 채용 절차를 진행 중입니다. 배터리 소재의 대표격인 양극재 생산능력은 지난해 4만톤에서 2026년 26만톤 규모로 확대를 추진하고 있습니다.

 

또 CTO 부문에서는 생분해성 플라스틱 등 친환경 제품과 탄소중립 기술 등 Sustainability 분야 연구개발 인력을 올해 100여명 규모로 채용할 계획입니다. LG화학은 친환경 PCR(Post-Consumer Recycled) 플라스틱과 생분해성 플라스틱 제품 개발을 지속하고 있으며 바이오 원료 기반의 PO(폴리올레핀), SAP(고흡수성수지), ABS(고부가합성수지) 등은 올 하반기 생산을 목표로 하고 있습니다.

 

신학철 부회장은 “이번 투자는 LG화학이 국내 유망한 중소·중견 기업들과 함께 ESG 산업 생태계를 강화하는 것은 물론 미래 성장동력을 지속적으로 발굴할 수 있는 발판이 될 것”이라고 말했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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