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서울 빌라 매매가 급등…1년 새 33.3% 뛰었다

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Wednesday, December 22, 2021, 09:12:50

상승률로만 봤을 경우 아파트 상회
서울은 ‘동남권’, ‘도심권’이 가격 상승 견인
과천 등 경기 경부1권..70.6% ‘기록적’ 상승률

 

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ서울 내 빌라 가격이 1년 전 대비 33.3%가 오른 것으로 나타났습니다. 상승률로만 봤을 경우 아파트를 상회하는 수준입니다.

 

아파트 가격의 급등과 대출 규제, 아파트 청약 경쟁 상승 등으로 인해 규제에서 비교적 자유로운 빌라로 내 집 마련의 타깃이 옮겨지며 가격 상승에도 영향을 미친 것으로 보입니다.

 

22일 한국부동산원의 연립다세대 평균매매가격 통계에 따르면, 서울의 올해 11월 평균 연립다세대 매매가는 3억 5203만 원으로 나타났습니다. 전년 동월 대비 약 1억 4000만원 상승했으며, 상승률은 33.3%입니다.

 

특히, 같은 기간 서울 평균 아파트 가격 상승률이 29%(8억 9027만 원 → 11억 4829만 원)인 것과 비교해 봤을 경우 4% 가량 더 높습니다.

 

서울 권역별로는 ‘강남 3구’ 등 동남권역이 42.9%(3억 6540만 원 → 5억 2216만 원), 종로, 중구, 용산 등 도심권역이 42.0%(3억 5104억 원 → 4억 9850억 원)로 두드러진 상승률을 보였습니다. 은평, 서대문 등 서북권역은 19.3%(2억 5722억 원 → 3억 696억 원)로 상승률이 가장 낮았습니다.

 

서울과 경기, 인천을 합친 수도권 또한 가격 상승률이 30%를 넘었습니다. 수도권의 연립다세대 평균 매매가는 2억 6391억 원으로 지난해 같은 달(2억 21만 원) 대비 31.8%의 상승률을 나타냈습니다.

 

경기도의 경우 평균 2억 303만 원으로 전년 동월 대비 26.2%의 상승률로 조사됐습니다. 성남, 과천 등이 포함된 ‘경부1권’은 전년 대비 무려 70.6%가 뛰어오른 기록적인 상승률을 보이며 4억 6838만 원의 매매가를 나타냈습니다.

 

아울러, 올해 11월 전국 연립다세대 평균 매매가격은 2억 583만 원으로 전년 동월 평균 매매가인 1억 7064억 원과 비교했을 때 20.6% 뛰었습니다. 지방의 경우 전년 동월 대비 11%의 상승률을 보이며 1억 623만 원의 매매가로 집계됐습니다.

 

부동산 업계는 빌라가 환금성이 낮아 매매가 잘 이뤄지지 않는 단점에도 불구하고 아파트 가격의 상승으로 매수에 어려움을 겪는 수요자들의 발걸음이 옮겨져 가격 상승도 급물살을 탄 것으로 분석하고 있습니다.

 

업계 관계자는 “최근 아파트값 급등과 청약 경쟁률 상승으로 내 집 마련에 어려움을 겪는 무주택자들이 빌라로 눈길을 돌리는 현상으로 가격 상승률 또한 비례한 것으로 보인다”며 “고가 주택 등에 대한 대출 규제 등의 정책 또한 빌라 수요 러시를 이루게 하며 가격 상승률을 기록하는 데 적잖은 몫을 차지한 것으로 분석된다”고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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