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SK이노베이션, 영업이익 ‘흑자전환’ 성공…배당안 추후 공시

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Friday, January 28, 2022, 13:01:18

지난해 매출 46조8429억원, 영업이익 1조7656억원 달성

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣSK이노베이션이 지난해 연간 영업이익 흑자 전환에 성공했습니다.

 

28일 SK이노베이션에 따르면 코로나19 상황에서도 석유제품 수요가 살아나는 등 주력 사업이 개선되며 2021년 연간 매출은 46조8429억원, 영업이익 1조7656억원을 기록했습니다.

 

각 사업별로 지난해 연간실적은 ▲석유사업 매출 29조5971억원, 영업이익 1조1616억원 ▲화학사업 매출 9조5433억원, 영업이익 1616억원 ▲윤활유사업 매출 3조3509억원, 영업이익 9609억원▲석유개발사업 매출 8817억원, 영업이익 3,286억원 ▲배터리 사업 매출 3조398억원, 영업손실 6831억원▲소재사업 매출 3438억원, 영업이익 810억원을 각각 달성했습니다.

 

SK이노베이션 배터리사업은 전년 대비 약 90% 증가한 연간 매출 3조398억원을 달성, 큰 폭의 성장세를 보였습니다. 지난해 상반기 상업 가동을 시작한 중국 옌청 및 혜주 공장 등 해외 배터리 공장 판매량이 급증한 덕입니다.

 

SK이노베이션은 배터리사업이 올해 1분기 미국 1공장 및 헝가리 2공장이 상업 가동을 시작해 포드, 폭스바겐 등 고객사 판매물량이 대폭 증가하면 올해 연간 매출액도 6조원대를 달성할 것으로 전망하고 있습니다.

 

소재사업은 지난해 4분기 상업 가동을 시작한 폴란드 리튬이온배터리 분리막(LiBS) 공장과 중국 신규 공장이 본격 상업 가동에 들어가 올해 매출액 및 영업이익 개선으로 이어질 가능성이 커졌습니다. 올해 말 생산능력은 15.3억㎡에서 2023년 20.8억㎡로 증가하고, 2025년에는 40.2억㎡로 해외 설비 확장을 지속할 예정입니다.

 

한편 지난 4분기 SK이노베이션의 매출은 유가 및 석유제품 가격 상승과 전기차용 배터리 판매량 호조에 따라 전 분기 대비 1조2569억원 증가한 13조7213억원을 기록했습니다. 다만 4분기에는 저가법 및 일회성 비용 등의 영향으로 474억원의 영업손실을 기록했습니다.

 

SK이노베이션은 이사회의 의견을 반영해 ‘21년도 배당안'에 대해 원점에서 재검토, 확정되는 대로 향후 공시 등을 통해 구체적인 내용을 밝힐 예정입니다. 

 

SK이노베이션 김준 부회장은 "지난해에는 경영환경 및 시황 변동성의 영향으로 시장 전망에 비해 다소 저조한 실적을 달성했다”며 “하지만 이러한 변화에도 흔들리지 않고 SK이노베이션의 카본 투 그린(Carbon to Green) 전략을 보다 강력하게 추진해 넷 제로를 반드시 달성하고 빅립(Big Reap, 더 큰 수확)을 위한 빅피쳐(Big Picture)를 만들어 나가겠다"고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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