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ISC, 하반기부터 DDR5 모멘텀 본격화-신한

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Wednesday, May 25, 2022, 09:05:35

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ신한금융투자는 25일 ISC에 대해 하반기부터 DDR5를 통한 모멘텀이 부각될 것이고 FC-BGA(플립칩 볼그리드 어레이) 시장 성장에 따른 수혜를 입을 것이라고 평가했다. 목표주가 4만 8000원, 투자의견 ‘매수’를 신규 제시했다.

 

신한금융투자는 ISC의 올해 매출액과 영업이익이 각각 전년 대비 31.2%, 79.5% 증가한 1899억원, 673억원을 기록할 것으로 전망했다. 서버용 메모리 출하량 증가와 FC-BGA 시장 확대에 따른 수혜를 기대했다.

 

김찬우 신한금융투자 연구원은 “1분기 실적은 서버향 메모리 출하량 증가와 고객사 확장에 따라 좋았던 것으로 파악된다”며 “이런 기조는 연내 지속될 것이고 고객사 스마트폰용 AP 출시에 따라 실적 호조가 이어질 것”이라고 설명했다.

 

신한금융투자는 ISC가 서버용 x86, ARM 기반 제품 개발에 참여하며 매출 증대와 고객사 확장이 동시에 가능할 것으로 분석했다. 앞으로 DDR5 도입에 따라 30%에 달하는 소켓 ASP(평균판매단가) 상승도 기대했다.

 

김 연구원은 “하반기부터 DDR5 모멘텀이 본격화되며 실적 업사이드도 확인될 것”이라며 “중장기적으로 FC-BGA 시장 성장 및 서버용 제품 수혜로 밸류에이션 성장이 가능할 것”이라고 말했다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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