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SK그룹, 미국에 300억달러 투자 결정…바이든 “역사적 투자”

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Wednesday, July 27, 2022, 10:07:25

최태원 SK그룹 회장, 바이든 미국 대통령과 화상면담 진행
반도체 등 4대 성장동력 분야에 220억 추가 투자 계획 밝혀

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣSK그룹이 미국에 220억달러를 추가 투자하기로 결정하며 300억달러에 달하는 대미 투자를 진행합니다.

 

최태원 SK그룹 회장은 26일(현지시간) 미국 백악관에서 조 바이든 미국 대통령과 화상면담을 통해 대미 신규 투자 계획을 밝혔습니다.

 

화상면담에서 최태원 회장은 반도체, 전기차 배터리, 그린, 바이오 등 4대 핵심 분야에 220억달러를 투자하겠다고 말했습니다. 최 회장은 "SK는 투자를 통해 미국의 제조업 경쟁력 강화와 혁신, 일자리 창출 등에 적극적으로 기여할 것"이라고 밝혔습니다.

 

최근 발표한 전기차 배터리 분야 70억달러 투자계획에 이어 추가 투자 계획을 발표함에 따라 SK그룹의 대미 투자계획 규모는 300억달러에 이르게 됐습니다.

 

SK그룹에 따르면, 220억달러 가운데 150억달러는 반도체 R&D 협력과 메모리 반도체 첨단 패키징 제조 시설 등 반도체 생태계 강화에 투자할 예정입니다. 세포∙유전자 치료제 분야에는 20억 달러, 첨단 소형 원자로 등 그린 에너지 분야에는 50억 달러의 신규 투자가 단행될 예정입니다.

 

SK그룹은 반도체 R&D 분야 투자를 통해 미국 내 일자리 창출을 비롯해 SK하이닉스의 기술력 강화로 이어져 메모리 등 한국 반도체 산업의 본질적 경쟁력 강화를 위한 역할을 할 것으로 기대하고 있다고 설명했습니다.

 

아울러, 전기차 및 그린 에너지 분야에 대규모로 투자할 경우 SK와 협력 관계에 있는 국내 소부장 기업이 미국에 진출할 수 있는 발판을 마련할 수 있다는 점에서 미국 시장 진출과 국내 기업 일자리 창출에도 기여할 것으로 내다보고 있습니다.

 

바이든 미국 대통령은 “SK그룹이 220억달러 규모의 투자를 추가로 단행할 경우 미국 내 일자리는 2025년까지 4000개에서 2만개까지 늘어날 것"이라고 밝히며 "역사적인 투자"라고 극찬하는 등 기대감을 감추지 않았습니다.

 

최 회장은 "미 행정부의 적극적인 지지와 협력으로 함께 번영할 수 있다는 데 감사드린다"며 "한미 양국은 21세기 세계경제를 주도할 기술과 인프라 구축을 위해 힘을 모으고 있으며 이 같은 협력은 핵심 기술과 관련한 공급망을 강화하는데 기여할 것"이라고 강조했습니다.

 

SK그룹은 오는 2026년까지 계획한 전체 투자규모 247조원 가운데 179조원에 달하는 국내 투자는 차질없이 진행할 방침입니다. SK그룹은 반도체와 같은 핵심 생산기반과 R&D 기반이 국내에 있는 만큼 국내 인프라 구축과 R&D 등이 뒷받침돼야 한다는 차원으로 전체 투자규모의 70%가 넘는 금액을 국내에 투자키로 결정한 바 있습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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