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우리금융 차기회장 후보, 이원덕·신현석·이동연·임종룡 4파전 압축

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Friday, January 27, 2023, 20:01:13

임추위 "전문성, 리더십, 소통능력 등 평가"
두차례 면접 거쳐 2월3일 최종후보 추천

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ우리금융그룹을 이끌어갈 차기 회장 후보로 이원덕 우리은행장, 신현석 우리아메리카 법인장, 이동연 전 우리FIS 사장, 임종룡 전 금융위원장이 물망에 올랐습니다.


우리금융 임원후보추천위원회는 27일 우리금융지주 차기 회장 후보 숏리스트(2차후보) 4명을 확정·발표했습니다.

 


임추위는 "(롱리스트에 포함된) 7명의 회장 후보자들의 전문성, 리더십, 커뮤니케이션 능력, 도덕성, 업무경험, 디지털역량 등에 대한 충분한 토론 끝에 내부 2명, 외부 2명으로 후보를 압축했다"고 밝혔습니다.


임추위는 2월1일 심층면접, 3일 추가면접을 거쳐 이날 최종 회장 후보를 추천할 예정입니다. 앞서 임추위는 지난 18일 첫 회의에서 차기 회장 롱리스트(1차후보)를 선정한 바 있습니다.

 


이원덕 우리은행장, 박화재 우리금융지주 사업지원총괄 사장, 신현석 우리아메리카 법인장, 김정기 우리카드 사장, 박경훈 우리금융캐피탈 사장 등 우리금융 내부 출신 5명과 임종룡 전 금융위원장, 이동연 전 우리FIS 사장 등 외부인사 2명입니다.


김병호 전 하나금융지주 부회장은 외부인사 중 한명으로 포함됐지만 본인이 불참 의사를 표한 것으로 전해졌습니다.

 


1962년생인 이원덕 우리은행장은 손태승 현 우리금융 회장과 같은 옛 한일은행 출신입니다. 우리은행 미래전략단장, 경영기획그룹 집행부행장, 우리금융지주 전략부문 부사장과 수석부사장을 지내 그룹 전략통으로 꼽힙니다.


1960년생인 신현석 우리아메리카 법인장은 상업은행 출신입니다. 우리은행 미국지역본부 수석부부장, LA지점장, 경영기획단장, 경영기획그룹장(부행장) 등을 거쳤습니다.


이동연 전 우리FIS 사장은 1961년생으로 우리은행 연금신탁사업단 상무, 중소기업그룹장(부행장)에 이어 2020년까지 우리FIS 대표이사 사장 겸 우리은행 최고정보책임자(CIO)를 지냈습니다.

 


1959년생인 임종룡 전 금융위원장은 연세대 경제학과를 졸업하고 행시 24회로 공직에 입문해 옛 재정경제부 금융정책과장, 경제정책국장, 기획재정부 1차관, 국무총리실장 등을 역임했습니다.


민간으로 자리를 옮겨선 NH농협금융지주 회장을 지내다 다시 금융위원장을 맡아 금융정책을 총괄지휘하기도 했습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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