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기가비스, 이달 코스닥 입성…“글로벌 반도체 검사시장 선도할 것”

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Wednesday, May 10, 2023, 14:05:02

최대 시총 5000억 예상

 

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ기가비스가 이달 코스닥 상장을 앞두고 있다. 상장을 통해 글로벌 반도체 검사시장을 선도한다는 계획이다.

 

10일 기가비스는 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 상장 전략과 비전을 밝혔다.

 

기가비스는 광학기술을 통해 반도체 기판의 내층을 검사하고 수리하는 사업을 영위하고 있다. 반도체 기판의 패턴 결함을 검사하는 자동광학검사설비(AOI)와 검출된 불량 패턴을 수리하는 자동광학수리설비(AOR)가 대표 제품이다.

 

기가비스는 반도체 기판 검사 및 수리 설비와 설비 프로그램을 모두 자체 개발하는 독보적인 기술력을 기반으로 글로벌 시장을 선도하고 있다. 특히 AOI, AOR 등 다양한 설비를 하나의 라인으로 묶어 완전 자동 운영되는 인라인(Inline) 무인화 설비는 업계 최고의 설비로 인정받고 있다.

 

또한 기가비스는 인라인 설비를 비롯해 ▲반도체 기판 회로선폭 3㎛(마이크로미터) 검사설비(AOI) ▲반도체 기판 회로선폭 5㎛ 수리설비(AOR)를 세계 최초로 개발하며 기술력을 입증했다. 3㎛ 검사 설비(AOI)는 일본, 대만, 미국 등 글로벌 대형 고객사에 시제품으로 출시됐고, 5㎛ 수리 설비(AOR)은 글로벌 최상급 패키지 기판 제조사에 공급 중이다.

 

강해철 기가비스 대표는 기가비스만의 기술경쟁력을 더욱 높이기 위해 2㎛까지 검사할 수 있는 AOI 설비를 개발했고 연내 정식 출시를 준비하고 있다고 밝혔다. 또한 2025년 출시를 목표로 회로 선간 폭 3㎛까지 수리할 수 있는 설비를 연구개발 중이라고 말했다.

 

강 대표는 “기가비스는 시대보다 한 발짝이 아닌 두 발짝 앞서는 글로벌 기술 선도기업을 목표로 여기까지 달려왔다”며 “경쟁사와 기술격차를 더 넓히기 위해 지속적으로 첨단 설비 연구개발을 진행 중으로 가장 빠르게 보여드릴 수 있는 연구 결과는 UV AOI가 될 것으로 기대한다”고 말했다.

 

이어 그는 “UV AOI는 형광 현상을 활용해 회로를 검사하는 설비로 개발이 완료된 상태이고, 쇼트 결함 검출력을 획기적으로 향상시킬 것”이라고 덧붙였다.

 

기가비스의 작년 매출액과 영업이익은 각각 997억원, 439억원이다. 전년 대비 매출액 127%, 영업이익 176% 성장한 수치다. 지난 2020년부터 영업이익률 35% 이상을 유지하며 안정적 재무 상태를 유지 중이라고 회사측은 설명했다.

 

한편, 기가비스 공모주식주는 221만 8258주이며 희망 공모밴드는 3만 4400~3만 9700원이다. 총공모예정금액은 최대 881억원이고 상장 후 예상 시가총액은 약 4360억원~5032억원이다. 전날(9일)부터 양일 간 수요예측을 진행하고 오는 15~16일 일반청약을 진행할 예정이다. 상장 주관사는 삼성증권이다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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