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이재용-베트남 총리, 세 번째 만났다…“베트남에 반도체 생산공장 투자해달라”

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Wednesday, October 21, 2020, 10:10:06

이 부회장, 19일 베트남 출장길 올라 20일 응우옌 쑤언 푹 총리 면담 진행
베트남, 삼성 스마트폰 최대 생산기지..반도체 신설 투자 거듭 요청

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 베트남 하노이 정부청사에서 응우옌 쑤언 푹 베트남 총리와 면담했습니다. 이 자리에는 노태문 삼성전자 무선사업부장(사장)과 이동훈 삼성디스플레이 사장 등이 자리했습니다.

 

이번 면담에서 푹 총리는 이 부회장에 반도체 공장 신설 투자를 요청한 것으로 전해졌습니다. 현재 삼성은 전기차 배터리 공장과 반도체 생산공장 신설 등 투자 계획이 있는 것으로 알려지고 있습니다.

 

베트남 현지 언론에 따르면 지난 20일 응우옌 쑤언 푹 베트남 총리는 “삼성이 첨단기술 프로젝트 투자를 위한 입지를 고르고 있는 것으로 안다”면서 “베트남은 이 프로젝트 투자에 가장 유리한 조건을 마련해줄 준비가 돼 있다”고 말했습니다.

 

이어 푹 총리는 “삼성이 베트남에서 반도체 공장을 투자해 현재 운영 중인 전기,전자 분야 공급망 보완”을 요청했습니다. 이번 면담에는 총리실, 정보통신부, 기획투자부, 재무부 등 박닌성 리더들도 참석했습니다.

 

앞서 이 부회장은 네덜란드 출장에서 돌아온지 닷새 만에 지난 19일 베트남 출장길에 올랐습니다. 이 부회장은 지난 2018년 베트남에 방문했고, 푹 총리와는 작년 11월 한국에서 면담을 한 이후 1년 만에 다시 만났습니다. 작년에도 푹 총리는 이 부회장에 베트남에 반도체 생산기지 투자를 요청한 바 있습니다.

 

삼성전자는 현재 박닌 생산법인(SEV)과 타이응우옌 생산법인(SEVT), 호찌민 가전복합단지(SEHC), 삼성디스플레이 베트남법인(SDV) 등 총 4개 법인을 운영 중입니다. 특히 휴대전화 생산기지는 최대 규모로 글로벌에서 판매하는 휴대폰의 절반 이상이 베트남에서 만들어집니다.

 

이 부회장은 면담에서 “베트남 정부가 코로나 방역을 강화하는 와중에도 삼성의 안전한 생산을 보장하도록 약 3000명의 삼성 엔지니어들이 베트남에 입국할 수 있도록 승인해줬다”며 베트남 정부와 총리, 성 정부, 유관부처에 감사를 표했습니다.

 

신축 R&D센터에 관련해서 이재용부회장은 “푹 총리와 약속했던 내용처럼 2022년말에 본격적으로 운영하도록 하겠다”면서 “연구 인력이 약 3000명으로 삼성그룹의 연구-개발 거점이 되도록 하겠다”고 약속했습니다.

 

제조 분야뿐만 아니라 연구와 개발분야에도 투자해 베트남 현지 기업과 협력을 통한 소프트웨어 개발 계획도 밝혔습니다. 이 부회장은 호치민 법인(SEHC)을 방문해 생산 활동을 점검하고, 투자 확장 수요를 점검하겠다는 계획입니다. 하노이에 건설 중인 동남아시아 최대 규모의 연구개발(R&D) 센터도 찾습니다.

 

푹 총리는 “베트남 정부는 Win-Win 정신으로 삼성이 베트남에서 전략적 협력·경영투자를 진행하는 과정에 함께 동행하겠다”고 말했습니다.

 

한편, 이 부회장의 다음 출장지는 일본이 거론되고 있습니다. 지난 1월 삼성전자 브라질 법인 방문을 시작으로 5월 중국, 10월 네덜란드, 스위스 등 유럽과 베트남을 방문해 코로나19 속에서도 폭넓은 글로벌 행보를 보이고 있습니다.

 

이 부회장이 일본의 방문할 경우 반도체 핵심 소재와 5세대(5G) 이동통신 관련 기업들을 만날 것이란 전망입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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