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[인사] 문화재청 외

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Wednesday, January 20, 2021, 14:01:40

 

<문화재청>

 

◇ 과장급 전보·임용

 

▲ 기획조정관실 법무감사담당관 유재걸 ▲ 궁능유적본부 창덕궁관리소장 류소명

 

 

<KB국민은행>

 

◇ 승진

 

[지역본부장]▲ 강서4(목동서로) 강미정 ▲ 남부·경기중앙7(평촌범계) 강중호 ▲ 강동1(잠실중앙) 권용찬 ▲ 경인5(부평) 김길영 ▲ 강동6(선릉역) 김대중 ▲ 부산·울산·경남7(부전동) 김동진 ▲ 강서3(목동파리공원) 김동호 ▲ 강남5(양재역) 김봉수 ▲ 강서2(화곡동) 김수찬 ▲ 대구·경북7(구미공단) 김종민 ▲ 경기남8(화성향남) 김진삼 ▲ 남부·경기중앙2(가산디지털) 김춘태 ▲ 강남4(역삼동) 김한순 ▲ 부산·울산·경남12(사상) 김해동 ▲ 남부·경기중앙6(여의도) 김형상 ▲ 경기남1(성남) 김효종 ▲ 남부·경기중앙13(정자동) 노인기 ▲ 대구·경북3(내당동) 박병곤 ▲ 강남1(방배중앙) 박종률 ▲ 경기남10(평택중앙) 박종상 ▲ 강서7(검단산업단지) 박태성 ▲ 강동4(길동) 배진호 ▲ 경인8(부천) 사혜난 ▲ 대구·경북8(포항) 손종목 ▲ 남부·경기중앙10(시화공단) 송승익 ▲ 충청9(충주) 신경환 ▲ 중앙4(충무로역) 신재섭 ▲ 경기남2(판교) 양정필 ▲ 대구·경북9(안동) 오동환 ▲ 충청5(당진) 윤석준 ▲ 충청8(서청주) 이강우 ▲ 대구·경북2(상인역) 이경률 ▲ 동부8(송우) 이경숙 ▲ 호남8(군산) 이근배 ▲ 경기남4(미금역) 이미영 ▲ 중부6(파주) 이영민 ▲ 경인2(가좌공단) 이재현 ▲ 호남7(전주) 이진순 ▲ 강서8(김포) 이항 ▲ 충청4(대전은행동) 장필곤 ▲ 충청1(유성) 정동교 ▲ 강남9(언주로) 조현규 ▲ 동부1(장한평역) 진익철 ▲ 강남3(서초동) 천무중 ▲ 강남6(신사동) 최명관 ▲ 남부·경기중앙12(선부동) 최형철 ▲ 강서5(구로동) 홍승희

 

[지역본부장 대우]▲ 명동영업부장 김경열 ▲ 서여의도영업부장 김귀숙 ▲ 압구정스타PB센터장 오웅섭

 

◇ 전보

 

[지역본부장]▲ 호남2(첨단) 김용배 ▲ 호남4(하당) 김환종 ▲ 부산·울산·경남8(범일동) 박기환 ▲ 남부·경기중앙1(철산역) 박용진 ▲ 강서1(우장산역) 박인선 ▲ 부산·울산·경남11(김해) 송정섭 ▲ 강서6(양평동) 전홍철 ▲ 남부·경기중앙11(안산) 조일권 ▲ 부산·울산·경남1(온천동) 편득준 ▲ 동부2(청량리) 황시연

 

 

<한국지능정보사회진흥원(NIA)>

 

◇ 본부장

 

▲ 지능형인프라본부장 최대규 ▲ 지능데이터본부장 고윤석 ▲ 글로벌협력본부장 이재호

 

◇ 단장

 

▲ 클라우드기술지원단장 김은주 ▲ 빅데이터추진단장 이용진

 

◇ 팀장

 

▲ 인사평가팀장 변민기 ▲ 총무홍보팀장 정원모 ▲ 정책기획팀장 이규엽 ▲ ICT투자성과센터장 정재동 ▲ 미래네트워크센터장 나성욱 ▲ 모바일인프라팀장 양종한 ▲ 네트워크고도화팀장 정운영 ▲ 공공와이파이팀장 배창석 ▲ 디지털플랫폼팀장 김형순 ▲ 지능데이터총괄팀장 윤미영 ▲ 인공지능데이터전략팀장 신다울 ▲ 인공지능데이터사업1팀장 유호진 ▲ 인공지능데이터사업2팀장 오현목 ▲ 빅데이터플랫폼팀장 손기문 ▲ 빅데이터사업팀장 황성욱 ▲공공데이터개방팀장 이재원 ▲ 공공데이터활용팀장 이창민 ▲ 데이터기반행정팀장 이동철 ▲ 디지털정부성과제도팀장 김두현 ▲ 디지털정부기반지원팀장 어재경 ▲ 디지털정부사업팀장 박재표 ▲ 공공클라우드전환팀장 문석봉 ▲ 융합서비스팀장 문재형 ▲ 공공혁신플랫폼팀장 한병호 ▲ 디지털역량개발팀장 이영선 ▲ 디지털포용기반팀장 남팔근 ▲ 지능정보윤리팀장 주윤경 ▲ 디지털포용서비스팀장 박종선 ▲ 글로벌ICT컨설팅팀장 홍명하 ▲ 글로벌아카데미팀장 양현수

 

 

<브레인자산운용>

 

◇ 승진

 

▶ 자산운용본부 본부장/CIO 김태준 전무이사

 

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편집국 기자 info@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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