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‘호황’ 열차탄 삼성·SK하이닉스, 반도체 인재 영입 나섰다

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Monday, February 08, 2021, 06:02:00

요동치는 반도체 시장, 올해슈퍼호황 전망에 두 자릿수 성장 전망
삼성·SK하이닉스, 경력직 반도체 채용 돌입..유능 인재 영입 경쟁

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ올해 반도체 매출이 작년보다 두 자릿수 이상 성장할 것이란 관측이 나온 가운데, 국내 메모리 반도체 업체가 경쟁적으로 인재 영입에 나서고 있습니다.

 

연초부터 ▲ 메모리 반도체 가격 상승 ▲차량용 반도체 공급 부족 사태 등 반도체 시장이 요동치고 있는데요. 반도체 ‘슈퍼사이클(장기호황)’ 도래를 앞두고 유능한 인재 영입을 통해 시장 장악에 나서겠다는 전략으로 풀이됩니다.

 

8일 업계에 따르면 글로벌 시장조사업체 IC인사이츠는 최근 발간한 보고서에서 세계 반도체 무역 통계(WSTS) 기구가 정의한 33개 제품 가운데 D램과 낸드플래시 매출이 나란히 18%, 17% 늘어 성장률 1, 2위를 기록할 것이라고 내다봤습니다.

 

이는 올해 IC인사이츠가 예상한 전체 반도체 시장 성장률 12%보다 5∼6%포인트 높은 수치입니다.

 

2019년에 가격 하락으로 -37%의 역성장을 기록했던 D램은 지난해 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 인한 재택근무, 원격수업, 온라인 커머셜 확대 등으로 수요가 급증하면서 성장세로 돌아섰습니다.

 

올해 반도체 시장에서는 D램을 중심으로 반도체 ‘슈퍼사이클’이 도래할 것이라는 관측이 많습니다. D램 매출의 큰 비중을 차지하는 서버 D램의 고객사 재고가 감소 추세를 보이고 있는데요.

 

여기에 삼성전자(대표 김기남·고동진·김현석)와 SK하이닉스(대표 이석희) 등 공급업체도 보수적인 투자가 예상되면서 가격 상승을 기대하고 있습니다.

 

낸드플래시는 지난해에 이어 올해도 노트북, 태블릿, 클라우드 업체의 서버 증설 등과 5G 스마트폰 전환 등으로 성장세가 이어질 것이란 관측입니다.

 

이 때문에 D램과 낸드플래시 시장을 주도하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 실적 향상이 기대되고 있습니다.

 

 

삼성전자와 SK하이닉스는 인재 모시기에도 적극 나서고 있습니다. 삼성전자는 지난 1일 2021년 상반기 디바이스솔루션(DS) 부문 경력사원 지원서를 받고 있습니다. 마감 기한은 22일로 메모리, 시스템 LSI, 파운드리 사업부와 반도체연구소 등 DS부문 10개 조직에서 경력직을 채용합니다.

 

최근 성과급 논란을 겪은 SK하이닉스도 경력직 사원 채용에 나섰습니다. SK하이닉스는 이달 24일까지 D램 설계 부문 경력사원을 대상으로 지원서를 받고 있습니다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1월 말에도 D램 관련 경력 사원 모집 공고를 냈으며, 오는 21일 지원서 접수 마감입니다.

 

학력은 학사 이상, 전공은 전자 관련 경력 4년 이상입니다. 채용인원은 구체적으로 명시되지 않았지만 상당한 인원을 채용할 것으로 전해집니다.

 

SK하이닉스가 연초부터 D램 관련 경력사원 모집에 나선 이유는 올해 차세대 D램 개발로 시장 영향력을 확대하기 위한 취지로 풀이됩니다.

 

업계 관계자는 “반도체 슈퍼호황이 예고되면서 반도체 수출 호황과 시황 개선, 시설 투자 확대로 인해 지난해보다 많은 인력이 채용될 것으로 예상된다”고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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