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‘CEO 중징계’ 라임사태 3차 제재심…우리은행부터 결론

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Thursday, April 08, 2021, 09:04:24

신한은행, 라임 CI무역금융펀드에 대한 분조위 19일 예정

 

인더뉴스 이진성 기자ㅣ라임자산운용 펀드(라임 사모펀드)를 판매한 우리은행 등에 대한 3차 제재심의위원회(제재심)가 8일 열립니다. 제재 대상 중 신한은행은 분쟁조정위원회(분조위)가 오는 19일 예정돼있어 이날 바로 결론을 내지는 않을 전망입니다.

 

8일 금융권에 따르면 금융감독원은 이날 오후 3차 제재심이 진행됩니다. 다만 심의가 마무리되더라도 신한은행과 신한금융지주까지는 결론을 내기 쉽지 않아 보입니다.

 

현재까지 경과를 보면 검사국과 금융사 양측에 충분한 진술 기회를 보장하고 있어 진행 속도가 더딘 편입니다. 1차 제재심이 열렸던 지난 2월 25일에도 밤늦게까지 심의가 이어졌지만 우리은행의 소명만 듣고 끝나기도 했습니다.

 

다만 금감원은 이날 우리은행에 대해서는 제재 결론을 늦더라도 마무리 지을 방침으로 알려졌습니다. 신한은행이 판매한 라임 CI무역금융펀드에 대한 분조위는 오는 19일 예고된 상태입니다. 그 이후 금감원이 잡아놓은 22일 제재심 일정에서 결정될 수 있다는 관측이 나옵니다.

 

앞서 전 두 차례 제재심을 통해 금감원 검사국과 3개사의 입장을 듣는 진술 과정은 끝난 상태입니다. 이날은 양측이 쟁점을 놓고 공방을 벌이는 대심제가 본격적으로 이뤄지는데요.

 

우리은행 제재심에서는 라임 펀드 부실의 사전 인지 여부와 은행의 부당권유 문제를 놓고 금감원과 은행 간 치열한 공방이 예상됩니다. 신한은행의 경우 내부통제 부실로 최고경영자(CEO) 중징계까지 할 수 있는지가 쟁점이며, 신한금융지주에는 라임 펀드를 판매한 복합 점포(신한은행·신한금융투자) 운영의 관리 책임 문제가 주요 사안입니다.

 

라임 사태 당시 우리은행장이었던 손태승 우리금융지주 회장은 직무 정지 상당, 진옥동 신한은행장은 문책 경고, 조용병 신한금융 회장은 주의적 경고를 금감원으로부터 사전 통보받은 상태입니다.

 

금융사 임원에 대한 제재 수위는 해임 권고·직무 정지·문책 경고·주의적 경고·주의 등 5단계로 나뉘는데, 이 중 문책 경고 이상은 3∼5년 금융사 취업을 제한하는 중징계로 분류됩니다.

 

금감원은 이들 은행이 라임 펀드 불완전판매(자본시장법 위반)와 내부통제기준 마련의무 미흡(지배구조법 위반) 등 잘못이 있다고 보고 제재심 안건으로 회부했습니다.

 

자본시장법 위반 관련 임원 문책경고 이상은 금융위원회가 전결권자이며, 그 이하는 금감원에서 확정됩니다. 지배구조법 위반 중 은행 임원에 대한 문책경고까지는 금감원장, 직무정지부터는 금융위에서 최종 결정합니다.

 

일각에선 이들 은행의 사후수습과 피해자 회복을 위한 노력 등을 반영해 최종제재 수위가 낮아질 것이란 의견도 나옵니다. '금융기관 검사 및 제재에 관한 규정'에는 사후 수습과 손실경감 노력, 손실에 대한 변상 여부 등을 고려해 임직원의 제재를 감면할 수 있다고 명시돼 있습니다. 금감원도 사후적 노력을 참고하겠다는 입장으로 알려졌습니다.

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이진성 기자 prolism@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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