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[코스피 마감]연준·연은의 엇갈린 발언에도 코스피 상승

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Tuesday, June 22, 2021, 16:06:51

0.71% 오른 3263.88

인더뉴스 최연재 기자ㅣ미 연방준비제도(연준)와 연방준비은행(연은) 총재들이 향후 통화정책의 방향을 놓고 엇갈린 신호를 보낸 가운데, 테이퍼링에 대한 우려 완화로 코스피 지수가 상승 마감했다. 지난주 연방공개시장위원회(FOMC)의 조기 금리 인상을 언급한 후 긴축전망이 필요 이상으로 고조되는 걸 억제하기 위한 것으로 풀이된다.

 

코스피는 22일 전날보다 23.09포인트(0.71%) 오른 3263.88에 장을 마쳤다. 지수는 5포인트(0.15%) 상승한 3245.79에 출발한 뒤 상승폭을 키웠다.

 

이날 개인과 기관은 각각 3380억원, 78억원을 순매도했지만 외국인은 3거래일 만에 3191억원을 순매수하며 상승을 견인했다.

 

한지영 키움증권 연구원은 “연준의 조기 긴축 사이클 진입 불안이 완화되고, 6월 수출 호조에 따른 2분기 실적시즌에 대한 기대감에 지수가 반등했다”고 분석했다. 이어 그는 “이 중 6월 이후 주가 조정이 진행됐던 소재, 산업재 등 경기민감주의 반등 여부에 주목할 필요가 있다”고 강조했다.

 

21일(현지시간) 존 윌리엄스 뉴욕 연은 총재는 미국 경제가 아직 완벽하게 회복하지 않았다면서 연준의 긴축 정책 도입은 시기상조라고 주장했다. 반면 로버트 카플란 댈러스 연은 총재와 제임스 불러드 세인트루이스 연은 총재는 앞으로 다가올 인플레이션에 대응해 조기 긴축에 나서야 한다고 주장했다. 총재들의 발언으로 밤사이 뉴욕 3대 지수는 모두 상승 마감했다.

 

같은 날 제롬 파월 연준 의장은 사전공개한 하원 청문회 원고에서 현재 높은 인플레이션 압력은 일시적인 현상에 불과하다고 일축했다. 청문회 이후 교통정리가 될 것으로 예측된다.

 

코스피 시가총액 상위 10개 종목 중 셀트리온(-2.32%), 삼성바이오로직스(-0.94%) 등은 하락했다. 이베이 코리아 인수 의사를 철회한 네이버는 1.51% 하락했다.

 

현대차(3.43%), 카카오(2.58%), LG화학(2.43%), 삼성SDI(0.29%), 삼성전자우(0.27%), 삼성전자(0.13%) 등은 상승했다. 이날 삼성엔지니어링은 국제 유가 회복에 따른 플랜트 발주 재개 기대감으로 8.09% 급등하며 연일 신고가를 경신중이다.

 

하락한 업종은 의약품(-1.14%), 비금속광물(-0.07%) 등이다. 상승한 업종은 섬유·의복(3.33%), 운수·장비(2.55%), 철강·금속(2.44%), 건설업(2.24%), 증권(1.7%), 중형주(1.52%), 은행(1.42%), 화학(1.37%) 등이다.

 

유가증권시장 거래량은 16억4499만주, 거래대금은 15조1879억원이었다.

 

코스닥지수는 0.57포인트(0.06%) 오른 1011.56에 장을 마쳤다.

 

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최연재 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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