검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Bio 바이오

국립보건연구원, mRNA 기술 역량 보유 한미정밀화학 현장 검증

URL복사

Thursday, July 01, 2021, 17:07:00

mRNA 핵심원료 등 생산 가능성 확인

 

인더뉴스 엄수빈 기자ㅣ한미약품(대표 우종수·권세창)은 국립보건연구원(원장 권준욱)이 원료의약품 전문기업인 한미정밀화학을 방문해 mRNA(메신저 리보핵산) 기술에 대한 한미의 역량을 확인했다고 1일 밝혔습니다.  

 

이날 현장 검증에는 권준욱 국립보건연구원장과 김도근 감염병백신연구과장, 임종윤 바이오협회 이사장(한미사이언스 대표), 김수진 한미 평택 바이오플랜트 전무, 장영길 한미정밀화학 대표, 이재헌 한미정밀화학 연구소장, 권규찬 한미약품 해외RA(인허가) 총괄 전무 등이 참석했습니다. 

 

권 원장은 한미정밀화학이 지난해 말부터 연구에 착수해 최근 개발에 성공한 mRNA 핵심 원료 6종의 대량생산 가능성과, 한국의 유전자 백신 생산 허브로서 잠재력을 확인했습니다. 또 한미의 지속적인 R&D(연구개발) 역량 축적을 통한 국가 백신주권 확보에 최선을 다해 줄 것을 당부했습니다. 

 

임종윤 대표는 이날 권 원장이 “현재를 기준으로 당장 mRNA를 생산할 수 있는 역량은 한미가 국내에서 유일하게 갖추고 있다고 판단해도 되냐”고 묻자 “실질적으로 그렇다”고 답했습니다. 그는 “한미는 12개월 내 최대 3억 도즈 분량의 mRNA 원료를 즉시 공급할 수 있는 유일한 회사”라고 강조했습니다.

 

김도근 감염병백신연구과장은 “한미정밀화학이 작년부터 추진해 온 mRNA 기술 역량 축적 상황을 확인할 수 있었다”며 “기업과 정부가 기술 자립을 위해 지금 당장부터라도 할 수 있는 역할을 찾아 힘을 모을 것으로 기대한다”고 말했습니다. 

 

한미사이언스가 최근 WHO(세계보건기구)가 추진하고 있는 ‘전세계 백신 공급을 위한 지역별 허브 구축 공모’에 참여하는 절차를 진행 중이라는 사실도 확인됐습니다. 이는 지난 5월 한미 정상회담에서 합의된 ‘한미 글로벌 백신 파트너십’의 일환으로, WHO와 코백스(COVAX)를 통한 전세계 백신 공급 대량생산 기지 구축 프로젝트입니다. 

 

지난 21일 WHO는 백신 허브의 첫 번째 후보지로서 “남아프리카공화국에 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) mRNA 백신의 첫 기술 이전 거점을 설립하기 위해 논의 중”이라고 공식화했는데요. 테워드로스 아드하놈 거브러여수스 WHO 사무총장은 화상 언론 브리핑에서 "백신에 대한 접근이 가장 부족한 아프리카에 특히 좋은 소식"이라고 말했습니다.

 

이와 대해 임종윤 이사장은 “최종 어떤 결론이 나올지는 기다려 봐야 하겠지만, 전세계 백신 허브로서 한국의 가능성을 WHO가 중요하게 다루고 있다는 점에 주목해야 한다”고 말했습니다.

 

지난달 21일 미국 백악관은 전세계 백신 공급 관련 계획을 발표하면서 “아프리카와 인도에서 올해부터 내년까지 10억도즈의 백신이 생산될 것”이라고 밝힌 바 있습니다. 또 대한민국 정부는 지난달 13일 영국에서 열린 G7 정상회의에서 “한국은 올해 1억달러를 코벡스AMC(선구매공약매커니즘)에 기부할 계획”이라고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

엄수빈 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너