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“310억원 물어내라”...홍원식 남양유업 회장, 한앤코 상대 손배 소송

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Thursday, September 23, 2021, 16:09:05

남양유업 법률대리인인 LKB앤파트너스 손해배상 청구 소송 입장 밝혀

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ홍원식 남양유업 회장이 한앤코 측을 상대로 대규모 손해배상 청구 소송을 제기했습니다. 앞서 홍 회장과 한앤코는 지난 5월 주식매매계약을 체결했지만, 홍 회장은 이달 1일 약정 위반을 이유로 한앤코에 주식매매계약 해제를 통보했습니다. 

 

23일 남양유업 법률대리인인 LKB앤파트너스에 따르면 한앤코19호 유한회사를 상대로 310억원 상당의 배상을 구하는 위약벌 및 한상구, 김경구, 윤여을을 상대로 불법행위 손해배상 청구 소송을 제기했습니다. 

 

LKB앤파트너스는 “해당 청구는 지난 1일 주식매매계약 해제에 대한 후속 절차로, 계약 해제에 책임이 있는 당사자는 이후 310억원 상당의 손해배상 책임을 지기로 한 본 계약 규정에 따른 것”이라고 설명했습니다. 

 

홍원식 회장 측은 남양유업의 주식매매계약 해제와 관련해 한앤코에 귀책사유가 있다고 보고 있는데요. LKB앤파트너스는 “계약금도 전혀 없던 점에서 알 수 있듯이 본 계약은 한앤코 측에게 절대적으로 유리한 불평등 계약인 가운데, 한앤코 측은 사전 쌍방 합의가 됐던 사항을 불이행하고 부당한 경영 간섭과 계약이나 협상의 내용을 언론에 밝히며 비밀유지 의무마저 위배했다”고 주장했습니다. 

 

한앤코 측에서 제기한 소송과 관련해 ”한앤코 측은 거래종결 시한 약 일주일 전부터 매도인을 상대로 주식양도 청구 소송과 주식처분금지가처분까지 제기했지만, 이는 적법한 청구가 아니고 9월 1일 계약이 해제되기까지 했다”고 말했습니다.

 

앞서 홍원식 남양유업 회장은 경영 안정화를 위해 주식매매계약을 통해 경영권 이전을 추진했지만, 한앤코 측과의 거래종결 시한까지 합의가 이뤄지지 않아 지난 1일 계약 해제 통보를 했습니다.

 

LKB앤파트너스는 “매도인은 한앤코 측으로 인해 막대한 시간적, 금전적 손해가 발생했고, 추가적으로 계약 과정에서 매도인을 기망한 정황도 다분해 형사적 책임추궁 여부까지 고려하고 있다”고 말했습니다. 

 

한앤코와의 법정 분쟁에도 불구하고, 홍원식 회장의 남양유업 매각 의지는 확고하다는 의견인데요. LKB앤파트너스는 “한앤코 측과의 법적 분쟁을 조속히 끝내고 제3자 매각을 통해 남양유업을 보다 더 발전시키고 진심으로 임직원을 대해 줄 인수자를 찾아 경영권을 이전하겠다”고 입장을 밝혔습니다.

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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