검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Global 글로벌

BTS, AMA ‘올해의 아티스트’ 후보 올라…아시아 가수 최초

URL복사

Friday, October 29, 2021, 08:10:22

2021 아메리칸뮤직어워즈 후보 발표
대상격인 올해의 아티스트 등 3개 부문 후보 올라
그래미 수상 청신호

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ그룹 방탄소년단(BTS)가 미국 3대 음악 시상식 중 하나인 ‘2021 아메리칸뮤직어워즈’(AMA)에서 대상 격인 ‘올해의 아티스트’(Artist Of The Year) 후보에 처음으로 이름을 올렸습니다. BTS이전 아시아 가수가 ‘올해의 아티스트’ 후보에 오른 적은 없습니다. 

 

AMA는 28일(미국 현지시간) BTS가 ‘올해의 아티스트’ 등 3개 부문 후보에 지명되면서 4년 연속 시상식에 진출한다고 발표했습니다.

 

AMA ‘올해의 아티스트’는 최근 데일러 스위프트와 브루노 마스 등 당대 최고 인기의 팝스타에게 주는 상으로 권위가 높습니다.

 

BTS는 최근 몇 년간 AMA의 여러 부분 후보에 올라 수상을 하기도 했지만 ‘올해의 아티스트’후보 명단에는 들지 못했습니다.

 

BTS는 ‘올해의 아티스트’와 ‘페이버릿 듀오 오어 그룹’(Favorite Duo or Group)에 이름을 올렸습니다. 또한 이어 빌보드 싱글 차트 정상을 차지한 ‘버터’(Butter)로 ‘페이버릿 팝송’(Favorite Pop Song) 후보 명단에도 들었습니다.

 

BTS는 ‘올해의 아티스트’를 놓고 올리비아 로드리고, 팝 디바 테일러 스위프트, 캐나다 출신의 더위켄드 및 아리아나 그란데와 드레이크와 경쟁을 펼칩니다.

 

미국의 올리비아 로드리고는 올해 AMA 시상식에서 7개 부문에 올라 가장 강력한 후보로 거론되고 있습니다. 이 외에도 6개 부문 후보에 지명된 더위켄드와 AMA 역사상 가장 많은 상을 받은 테일러 스위프트도 ‘올해의 아티스트’ 가능성이 적지 않습니다.

 

BTS는 올해 들어 ‘버터’(10주), ‘퍼미션 투 댄스’(1주), 콜드플레이와 협업곡 ‘마이 유니버스’(1주)로 총 12주간 빌보드 핫 100 정상을 차지했기 때문에 AMA 시상식에서 예년보다 좋은 성과를 낼 것이란 기대가 커지고 있습니다.

 

BTS는 2018년부터 매년 AMA의 수상자로 시상식에 섰습니다. 2018년 ‘페이버릿 소셜 아티스트’ 를 시작으로 2019년 ‘페이버릿 소셜 아티스트’, ‘올해의 투어’, ‘페이버릿 듀오 오어 그룹’ 등 3관왕을 차지했습니다. 지난해에는 ‘페이버릿 듀오 오어 그룹’, ‘페이버릿 소셜 아티스트’상을 받았습니다.

 

AMA는 다음 달 21일 미국 LA 마이크로소프트 시어터에서 열리며 ABC 방송을 통해 생중계 됩니다.

 

엔터테인먼트 업계에서는 BTS가 AMA의 대상 격인 ‘올해의 아티스트’ 후보에 오른만큼 그래미 시상식에서도 수상을 할 가능성이 커질 것으로 기대하고 있습니다.

 

그래미상은 빌보드 어워즈와 AMA와 함께 미국 3대 음악상으로 꼽힙니다. 그러나 권위 측면에서는 다른 두 개의 음악상보다 앞선다는 평가입니다.

 

BTS는 지난 3월 열렸던 제63회 그래미 시상식에서 한국 가수 중 최초로 후보에 올랐으나 시상식에 오르지는 못했습니다.

 

그러나 BTS는 지난 5월 빌보드 어워즈에서 4관왕을 올랐고 이번에 AMA ‘올해의 아티스트’ 후보에 오르며 제 64회 그래미 시상식에서 수상 가능성이 다른 해보다 커졌습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너