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이재명 “용적률 500% 상향 추진…재개발·재건축 활성화한다”

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Thursday, January 13, 2022, 16:01:50

활성화 바탕으로 주택 공급 확대 및 주거 상향 모색
용적률 500% 상향 가능한 4종 주거지역 신설
안전진단 기준 개선·공공재개발 활성화 등 6가지 방안 제시

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ이재명 더불어민주당 대선 후보가 용적률을 500%까지 상향 가능한 주거지역을 신설하는 등 재개발·재건축 활성화를 바탕으로 도심 내 주택 공급을 확대하겠다는 뜻을 내비쳤습니다.

 

이재명 후보는 13일 서울 노원구의 한 카페에서 부동산 공약 발표를 진행하고 재개발·재건축 활성화 방침을 내놓았습니다.

 

이 후보는 “재개발·재건축은 도심 내 중요한 주택공급 수단이며 도시 슬럼화를 막고 거주 주민들의 주거의 질을 높이는 필수 정책”이라며 “활성화를 바탕으로 주택 공급 확대와 주민들의 주거 상향을 모색하겠다”고 강조했습니다.

 

이어 ▲신속협의제 도입 및 500%까지 용적률 상향이 가능한 4종 주거지역 신설 ▲재건축 안전진단 기준 개선 ▲공공재개발 활성화 ▲고도제한지역 맞춤 지원 ▲원주민 재정착 지원 ▲리모델링 특별법 등 6가지를 재개발·재건축 활성화 공약으로 제시했습니다.

 

이 후보는 “500%까지 용적률 상향이 가능한 4종 주거지역을 도입해 적용을 포함한 용적률 상향, 층수 제한, 공공 기여 비율 등을 유연하게 조정하고 기반시설 설치에 필요한 비용을 지원하겠다”며 “정부·지자체·주민 간 신속 개발 협의 후 인허가 통합심의를 적용해 사업기간을 대폭 단축하겠다”고 언급했습니다.

 

재건축 안전진단 기준 개선에 대해서는 “거주민 삶의 질 향상의 관점에서 안전진단 심사가 이뤄질 수 있도록 구조안전성 비중 하향과 같은 제도 개편을 단행할 것”이라고 설명했습니다.

 

그러면서 “공공재개발을 할 경우 추가 인센티브를 부여하고, 임대주택 기부채납 등 공공기여 비율을 사업구역에 따라 탄력적으로 조정할 것”이라며 “고도제한지역·1종 일반주거지역을 대상으로는 도시기반시설, 생활형 SOC 투자, 저층고밀개발 등 다양한 지원방안을 고려할 것”이라고 말했습니다.

 

원주민 재정착 지원과 관련해서는 “분담금이 부족한 원주민에게 기본주택을 공급하고 상가소유자 및 세입자 등이 생계 수단을 잃지 않도록 그에 해당하는 보상을 시행하겠다”고 주장했습니다.

 

아울러, 리모델링 특별법 제정을 통해 세대 수 증가와 수직증축을 지원하고 안전성 검토 기준, 안전 진단, 인허가 절차 등을 정비해 사업 기간을 단축하겠다는 뜻도 내비쳤습니다.

 

끝으로 이 후보는 “과도한 개발이익이 발생하는 사업구역의 경우 적절히 공공 환수를 해 지역 사회에 환원할 것”이라며 “재개발·재건축 관련 부정·비리는 엄단해 사업이 투명하게 추진되도록 할 것”이라고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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