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HDC현산, 화정 아이파크 ‘철거 후 재시공’ 결정…2028년 입주 가능

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Wednesday, May 04, 2022, 14:05:25

정몽규 회장 “입주 예정자 요구대로 8개동 전면 철거 후 재시공”
입주 시기 상당 부분 지연..HDC현산은 준공까지 ‘70개월’ 전망
사업비용 3700억..회계 반영분에 추가 2000억원 들 것으로 예상

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣHDC현대산업개발[294870]이 지난 1월 11일 외벽 붕괴사고가 일어난 광주광역시 서구 화정동 아이파크 단지의 8개 동을 모두 철거하고 새로 짓기로 결정했습니다.

 

정몽규 HDC 회장은 4일 오전 용산 사옥에서 기자회견을 갖고 광주 아파트 붕괴사고에 대한 대책을 약 4개월 만에 내놓았습니다. 정몽규 회장은 “입주 예정자들의 요구인 8개 동 전체를 철거하고 새로 아이파크 아파트를 짓겠다”고 밝혔습니다.

 

정 회장은 “지난 2월 실종자 구조작업이 끝난 후 입주 예정 고객과 상인들에게 피해보상을 위한 대화를 이어왔다”며 “고객들의 우려와 걱정이 커져 왔고 이를 해소할 수 있는 방법은 철거 후 다시 짓는 것 밖에는 없다는 생각이 들었다”고 설명했습니다.

 

그러면서 “아파트 설계 변경 시 합의가 무한정 지연될 가능성도 있는데다 회사의 불확실성도 커지기 때문에 힘든 결정을 내렸다”며 “이와 같은 결정이 고객 신뢰를 회복하기 위한 가장 빠른 길이라고 생각했다”고 덧붙였습니다.

 

광주 화정아이파크는 1·2단지, 총 8개동, 847가구 규모로 당초 계획대로라면 오는 11월 30일 입주에 들어갈 예정이었습니다. 그러나 HDC현대산업개발이 철거 후 재시공으로 방향을 잡음에 따라 입주 시기가 상당 부분 늦어질 전망입니다. HDC현대산업개발 측은 우선 철거 후 준공까지의 기간을 70개월로 보고 있습니다.

 

하원기 HDC현대산업개발 대표이사는 “주변 민원 등의 과정을 포함해 철거부터 재시공, 준공까지 약 70개월이 소요될 것으로 예상된다”고 밝혔습니다. 이달부터 재시공 과정에 들어간다고 치면 산술적으로 계산해 봤을 때 빨라야 오는 2028년 3월에 준공되는 셈입니다.

 

 

아울러 재시공에 들어가는 사업비용에 대해서는 3700억원 정도로 예상했습니다. 정 회장은 “지난해 손실액 1750억원을 회계에 반영했으며 입주 지연 비용과 주거 지원 비용까지 고려했을 때 2000억원 정도의 추가 비용이 들 것으로 예상하고 있다”고 밝혔습니다.

 

광주 화정아이파크 외벽 붕괴사고는 지난 1월 11일 광주 서구 화정동 일원 HDC현대산업개발 아파트 신축공사 현장에서 발생한 사고입니다. 당시 설비·배관층(PIT층) 바닥이 붕괴되면서 39층 하부로 16개층 이상의 외벽이 파손·붕괴돼 7명의 사상자를 냈습니다.

 

국토부 사고조사위원회는 현장 조사를 진행해 무단 설계 변경을 비롯한 시공·감리 등 총체적 관리부실로 인해 발생한 인재로 결론을 지은 바 있습니다. 사고 발생 직후 현장 입주자 대표 측은 전체 철거 후 재시공을 할 것을 요구해 왔습니다.

 

정몽규 회장은 “고객에게 안전과 국민의 신뢰를 얻지 못한다면 회사의 존립 가치가 아무런 의미가 없다고 생각한다”며 “앞으로도 안전을 최우선으로 해 고객에게 신뢰를 주고 조금이라도 안전 관련 신뢰가 없어지는 일이 있다면 어떠한 손해가 있더라도 약속을 꼭 지키겠다”고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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