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KT, 리벨리온에 300억 투자…AI 반도체 차세대 먹거리 육성

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Wednesday, July 06, 2022, 12:07:59

국내 AI 반도체 스타트업 리벨리온에 전략투자
하이퍼스케일 AI 컴퓨팅’ 통해 외산 GPU 의존도 극복
팹리스 기반, 국산 AI반도체 생태계 조성 목표

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣKT는 국내 AI 반도체 설계(팹리스) 스타트업인 리벨리온에 300억원 규모의 전략 투자를 단행하고 사업 협력에 나선다고 6일 밝혔습니다. 

 

리벨리온은 지난해 AI인프라 솔루션 전문 기업인 모레(MOREH)에 이은 KT의 두 번째 AI인프라 분야 전략 투자 스타트업입니다. 리벨리온은 AI 반도체 분야에서 우수한 개발 인력과 수준 높은 주문형 반도체(ASIC[) 설계 경쟁력 등 차별화된 입지를 다지고 있습니다. 

 

KT는 기존에 진행해온 사업협력에 리벨리온을 동참시켜 차세대 AI 반도체 설계와 검증, 대용량 언어모델 협업 등 AI 반도체 사업의 컨트롤 타워 역할을 수행해 나갈 계획입니다.

 

KT는 ▲KT그룹의 AI 인프라 및 응용서비스 ▲모레의 AI 반도체 구동 소프트웨어 ▲리벨리온의 AI 반도체 역량을 융합해 GPU 수천 장 규모에 달하는 초대규모 ‘GPU팜’을 연내 구축 완료하고 2023년에는 해당 GPU팜에 하이퍼스케일 AI컴퓨팅 전용으로 자체 개발한 AI 반도체를 접목한다는 목표를 세웠습니다. 

 

이를 통해 국내 최초이자 순수 국내 기술로 하드웨어와 소프트웨어를 동시에 제공하는 ‘AI 풀스택’ 사업자로 위상을 굳히겠다는 계획입니다. 

 

KT 주도의 협업으로 개발할 AI 반도체는 AI알고리즘에 최적화된 NPU(Neural Processing Unit)로 복잡한 알고리즘에서도 뛰어난 성능을 보일 뿐만 아니라 GPU대비 3배 넘는 에너지 효율과 저렴한 도입비용이 장점이다. 앞으로 데이터센터, 자율주행 등 다수 영역에서 수요가 증가할 NPU 시장을 개척하고 선점한다는 전략입니다. 

 

특히, AI전용 반도체가 적용되면 기존 '하이퍼스케일 AI 컴퓨팅'의 효율성을 극대화해 국내 주요 기업, AI 스타트업, 대학교 등에게 더욱 저렴하고 성능 높은 AI 인프라를 제공할 수 있게 됩니다. 더불어 리벨리온, 모레와 협업으로 차별화된 AI반도체를 개발해 KT가 추진하고 있는 모빌리티, 금융DX등 다양한 영역에서 활용할 계획입니다. 

 

업계에서는 한국이 메모리 반도체 생산에서 압도적 1위를 기록하고 있고 파운드리(반도체 위탁생산) 점유율도 세계 2위인 반면, 팹리스(반도체 설계) 분야에서 점유율은 1% 수준에 그치는만큼, 국내 대기업과 팹리스 스타트업의 협력에 대한 필요성이 높아지고 있습니다. 따라서 KT의 전폭적인 투자와 사업 협력이 팹리스 분야의 유망주인 리벨리온의 국내외 시장 경쟁력 견인에 마중물이 될 것으로 기대하고 있습니다. 

 

박성현 리벨리온 대표는 "국내 첫 번째 전략적 투자자로서 Cloud·DC분야 절대강자인 KT와의 협업은 리벨리온의 새로운 성장과 사업의 동력이 될 것이이다"며 "리벨리온의 우수한 개발 경쟁력을 토대로 KT와 손잡고 AI 반도체 국산화를 넘어 순수 국산 기술력이 글로벌에서 경쟁력이 있다는 것을 보여주겠다"고 포부를 밝혔습니다. 

 

KT 구현모 KT 대표는 "AI 반도체는 대한민국의 차세대 먹거리가 될 수 있는 핵심 영역인 만큼 국내 AI반도체 분야의 선두주자인 리벨리온이 KT와 협업을 통해 엔비디아와 퀄컴과 같은 글로벌 팹리스 기업이 되길 기대한다"고 강조하며 "투자 환경은 어려워지고 있지만 우수한 스타트업에 대한 KT의 투자는 지속 확대될 것"고 말했습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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