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SK그룹, 향후 5년간 비수도권에 67조 투자

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Wednesday, September 14, 2022, 13:09:27

내년까지 국내 생산시설 신∙증설 등에 73조원 집행
BBC 분야 R&D에 향후 5년간 25조원 투자

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣSK그룹이 서울∙경기∙인천 등 수도권을 제외한 지방에 향후 5년간 67조원에 달하는 대규모 투자를 단행합니다.  

 

SK그룹은 핵심 성장동력인 반도체(Chip), 배터리(Battery), 바이오(Bio) 등 이른바 BBC 산업의 국내 기반 시설과 기술 경쟁력을 키우기 위한 국내 투자 및 R&D 계획을 14일 공개했습니다.

 

이에 따르면 SK그룹은 향후 5년간 국내에 투자키로 한 179조원 가운데 비수도권에 67조원을 투자해 지방경제 활성화와 국토 균형발전에 기여할 계획입니다. 비수도권 투자 분야는 ▲반도체·소재 30.5조원 ▲그린 22.6조원 ▲디지털 11.2조원 ▲바이오·기타 2.8조원 등 입니다. 

 

특히 SK그룹은 최근 계속되는 경제위기와 지정학적 리스크 등에 선제적으로 대응하기 위해서는 주요 관계사의 성장기반인 국내 생산시설에 집중적인 투자가 필요하다고 보고 올해와 내년까지 2년동안 모두 73조원을 집행하기로 했습니다.

 

내년까지 단행될 국내 투자 역시 ▲반도체·소재 48.7조원 ▲그린 12.8조원 ▲디지털 9.8조원 ▲바이오·기타 2.2조원 등 BBC 산업에 집중하기로 했습니다. 

 

SK텔레콤과 SK브로드밴드는 올해부터 내년까지 전국에 약 5조원을 투자해 5G 등 유무선 통신망을 확충키로 했습니다. SK E&S는 내년까지 전국에 약 1조원 이상을 투자해 태양광, 풍력 등 재생에너지 시설 및 도시가스 시설을 구축할 계획입니다.  

 

SK그룹은 4차 산업혁명 시대를 선도하기 위해서는 무엇보다 차별적인 기술력을 확보해야 한다고 보고, 향후 5년간 R&D에 25조원을 투자합니다. 

 

SK 관계자는 “반도체, 배터리, 바이오 등 SK그룹 핵심 전략산업의 생산 기반인 국내 시설을 지속적으로 신∙증설하고, R&D에도 대규모로 투자해 글로벌 시장을 선도해 나갈 예정”이라면서 “국내 고용을 창출하고 소재∙부품∙장비 등 이른바 소부장 협력업체와 동반성장할 수 있도록 현재 계획된 중장기 투자는 차질없이 진행해 나갈 것”이라고 말했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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