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3.5초만에 시속 100km…기아, ‘The Kia EV6 GT’ 출시

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Thursday, September 29, 2022, 09:09:33

기아, 고성능 전기차 모델 첫 선
스포츠카 뛰어넘는 주행 및 조향 성능 강화
향후 고성능 전기차 GT 버전 확대 예정

 

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ기아는 10월 4일부터 고성능 전기차 ‘The Kia EV6 GT(더 기아 이 브이 식스 지티, 이하 EV6 GT)’를 출시한다고 29일 밝혔습니다. 

EV6 GT는 전기차 전용 플랫폼 E-GMP를 기반으로 한 EV6의 고성능 버전의 차입니다. EV6 대비 성능을 대폭 높인 모터와 고출력 배터리를 조합해 한국차 역대 최고 수준의 동력성능을 확보한 것이 특징입니다.

 

덕분에 해 정지 상태에서 단 3.5초만에 시속 100km까지 도달할 수 있는 폭발적인 가속성능과 최고속도 260km/h의 역동적인 주행성능을 확보했습니다. 

사륜구동 단일 트림으로 운영되는 EV6 GT는 최고출력 270kWㆍ최대토크 390Nm의 후륜 모터와 최고출력 160kWㆍ최대토크 350Nm의 전륜 모터를 더해 합산 430kW(585마력)의 최고출력을 비롯해 최대토크 740Nm(75.5kgf·m)을 갖췄습니다. 

특히 EV6 GT에 적용된 고성능 모터의 분당 회전수(rpm)는 최고 2만1000회에 달해 저속에서부터 최고 260km/h까지 모든 속도 영역에 대응할 수 있는 것이 장점입니다. 400V/800V 멀티 충전 시스템도 적용돼 800V 초급속 충전 시스템을 이용할 경우 18분만에 10%에서 80%까지 충전이 가능합니다. 

 

기아 최초로 ‘드리프트(drift) 모드’도 적용됐습니다. 선회 시 후륜 모터에 최대 구동력을 배분해 차량이 실제 조향 목표보다 안쪽으로 주행하는 현상인 ‘오버스티어(over steer)’를 유도, 운전의 즐거움을 더하는 드리프트 주행이 가능합니다. 또 선회 탈출 시 전륜에 구동력을 배분해 후륜에만 구동력을 배분했을 때보다 더욱 빠르게 곡선 구간을 벗어날 수도 있습니다. 

기능뿐 아니라 고성능 전기차로서의 감성적 측면을 만족시키는 사양들도 반영했습니다. 고성능차 이미지를 부각하는 스웨이드 스포츠 버킷 시트는 신체 측면 지지성을 높여 고속 및 선회 주행 시 안정감을 더하며, 속도와 토크 변화에 따른 가상의 음색으로 청각적 주행 경험을 더하는 액티브 사운드 디자인(e-ASD)도 추가했습니다. 

기아는 지난해 4월 유튜브 기아 월드와이드 채널에 공개한 400m 드래그 레이스 영상에서 EV6 GT가 폭발적인 가속성능으로 람보르기니 ‘우르스’, 메르세데스 벤츠 ‘AMG GT’, 포르쉐 ‘911 타르가 4’ 등 고성능 슈퍼카를 앞서는 모습을 공개하며 EV6 GT에 대한 기대감을 키웠습니다. 

EV6 GT의 가격은 개별소비세 3.5% 및 세제혜택 후 기준 7200만원입니다. 

기아 관계자는 "EV6 GT는 기아의 선도적인 EV 기술력의 총체로, 하이 퍼포먼스 드라이빙에 열광하는 고객의 니즈를 반영한 고성능 모델"이라며 "고객의 일상 속에서 이제까지 경험해보지 못한 짜릿한 주행 경험을 선사할 것"이라고 말했습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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