인더뉴스 양귀남 기자ㅣ교보10호기업인수목적 주식회사와 스팩합병 상장을 추진하고 있는 차세대 전력반도체 및 통신 분야의 저열팽창 고방열 소재 전문기업 주식회사 코스텍시스는 차세대 차량용 SiC 전력반도체 고방열 스페이서를 개발해 국내외 기업에 시제품 납품 중이라고 25일 밝혔다.
코스텍시스는 기존 차량용 전력반도체인 실리콘 반도체를 대체할 수 있는 차세대 차량용 전력반도체인 SiC(탄화규소)반도체와 GaN(갈륨나이트라이드) 반도체의 고방열 스페이스를 개발했다. 현재 현대자동차와 LG마그나에 시제품을 납품하고 있다.
SiC와 GaN 반도체는 실리콘 반도체와 달리 150도 이상의 고온에서도 동작이 가능하다고 회사측은 전했다. 코스텍시스는 SiC, GaN 반도체와 써멀 매칭(Thermal Matching)이 최적화된 저열팽창 고방열 소재 개발에 성공한 후, 5G 통신용 GaN 반도체의 RF(Radio Frequence) 패키지를 개발해 NXP 사를 비롯해 국내외 많은 기업에 공급하고 있다.
최근 NXP에서 5G 통신용 GaN 반도체의 RF 패키지 수주의 본격화와 향후 차량용 고방열 스페이서의 수요를 대비해 양산 관련 대량 생산 시설 투자를 진행 중이다.
한규진 코스텍시스 대표는 “최근 SiC, GaN 반도체가 실리콘에 비해 뛰어난 장점들로 인해 차세대 전력 반도체로서 각광받고 있다”며 “코스텍시스는 일본 등 수입에 의존하던 SiC, GaN 반도체의 필수 재료인 저열팽창 고방열소재 국산화에 성공해 글로벌 제품 경쟁력까지 확보했다”고 말했다.
