검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Electronics 전기/전자

삼성전자, 오픈소스 소프트웨어 개발 프로젝트 ‘라이즈’ 참여

URL복사

Thursday, June 01, 2023, 09:06:25

오픈소스 비영리단체 리눅스재단이 발족
리스크 파이브(RISC-V) 활용한 소프트웨어 개발 나서
구글, 인텔, 엔비디아, 퀄컴 등 13개 IT·반도체 참여해

 

인더뉴스 권용희 기자ㅣ삼성전자[005930]가 첨단 반도체 생태계 구축 및 확산을 위해 오픈소스 비영리단체 리눅스재단이 발족한 오픈소스 소프트웨어 개발 프로젝트 ‘라이즈(RISE)’의 운영 이사회 멤버로 활동한다고 1일 밝혔습니다.

 

라이즈는 개방형 반도체 설계자산인 ‘리스크 파이브(RISC-V)’를 활용한 소프트웨어를 개발하기 위해 출범한 조직입니다.

 

RISC-V는 컴퓨터 실행속도를 높이기 위해 명령세트를 축소 설계한 CPU 아키텍처인 RISC 기반의 반도체 개발을 위해 필요한 명령세트를 개방형 표준으로 공개한 기술입니다.

 

 

라이즈에는 삼성전자를 포함해 구글, 인텔, 엔비디아, 퀄컴, 레드햇, 미디어텍, 안데스, 이매지네이션, 리보스, 사이파이브, 벤타나, 티헤드 등 13개 글로벌 IT·반도체 회사가 참여합니다. 이번 RISE 프로젝트에 참여한 기업들은 RISC-V를 기반으로 한 소프트웨어를 공동 개발할 예정입니다.

 

삼성전자는 “RISC-V가 특정기업이 소유권을 갖지 않기 때문에 이를 활용한 소프트웨어가 개발되면 어떤 기업이든 무료로 반도체를 설계하는 데 활용할 수 있다”면서 “관련 생태계 확장에도 크게 기여할 것으로 예상된다”고 밝혔습니다.

 

RISC-V 기반 칩셋에서 동작하는 애플리케이션이나 서비스 구현이 쉬워지고 개발 및 유지에 필요한 리소스를 절감할 수 있어 향후 ▲모바일 ▲가전 제품 ▲데이터센터 ▲차량용 애플리케이션 등 다양한 분야에 활용될 것으로 전망됩니다.

 

RISE 프로젝트 의장인 앰버 허프만 구글 수석연구원은 "RISC-V가 상용화되기 위해서는 성능, 보안, 신뢰성, 상용성을 모두 갖춘 소프트웨어의 확보가 중요하다"며 "RISE를 통해 검증된 소프트웨어를 확보해 'RISC-V 생태계'를 확대해 나가겠다"고 말했습니다.

 

박수홍 삼성리서치 오픈소스그룹장은 "지속가능한 RISC-V 기반 오픈소스 소프트웨어 생태계 구축을 위해 RISE 프로젝트에 참여해 다른 기업들과 협업해 나갈 것"이라고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권용희 기자 brightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너