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[현장+] 한국사업 의지 강조한 GM... 전제조건은 ‘경쟁력 확보’

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Tuesday, June 25, 2019, 15:06:27

GM 해외사업 사장 “사업 의지 믿어달라”..공장 폐쇄 여부는 즉답 피해
희망퇴직 등 인건비 감축 가능성 내비쳐..“미래 담보할 경쟁력 있어야”

 

[인더뉴스 박경보 기자] 한국 사업에 대한 의지를 믿어달라던 GM이 정작 ‘공장 폐쇄 가능성’에 대해선 말을 아꼈다. ‘경쟁력 확보’를 거듭 강조한 점으로 미뤄 볼 때, 수익성을 높이지 못한다면 미래를 담보할 수 없다는 뜻으로 받아들여진다.

 

줄리안 블리셋 GM인터내셔널 사장은 25일 한국지엠 디자인센터에서 열린 미디어 행사에서 “GM은 장기적인 한국사업에 큰 의지를 갖고 있다”며 “지엠테크니컬센터코리아(GMTCK) 설립을 통한 연구개발과 대규모 생산시설 투자가 그 증거”라고 말했다.

 

이어 “지난 8~9개월간 변화의 시간을 통해 지속가능성을 추구할 수 있게 됐다”며 “임직원, 협력업체, 산업은행, 한국정부 등 모든 이해관계자들의 지원을 바탕으로 한국지엠이 정상화되고 있다는 점을 강조하고 싶다”고 덧붙였다.

 

한국지엠 부평공장 내 디자인센터에서 열린 이날 행사는 GM 측이 한국사업장에 대한 경쟁력과 지속가능성을 재확인하기 위해 마련됐다. 이 자리에는 줄리안 블리셋 GM 수석 부사장 겸 GM 해외사업부문 사장과 카허 카젬 한국지엠 사장, 로베르토 렘펠 GMTCK 사장이 참석했다.

 

이날 GM의 임원들은 지난해 단행한 대규모 투자와 한국 사업의 중요성을 재차 강조했다. 이는 끊임없이 터져 나오는 ‘한국 철수설’을 진화시키기 의도인 것으로 풀이된다. 하지만 그러면서도 공장 폐쇄와 관련된 질문에는 즉답을 피했다.

 

블리셋 사장은 메리 바라 GM 회장이 2개의 해외 공장을 폐쇄하겠다고 밝힌 구조조정 계획에 한국이 포함되는지 묻는 질문에 “신차 배정과 미래 전략은 GM의 영업비밀”이라며 “GM이 북미에서 공장을 폐쇄한 것은 비용 대비 효율을 제고할 수 있어야 하기 때문”이라고 답했다.

 

이날 블리셋 사장은 ‘한국 사업에 대한 의지’와 더불어 ‘경쟁력 확보’라는 말을 수차례 반복했다. 그는 “장기적인 계획이 없었다면 신차 2종 배정 등 투자는 불가능했을 것”이라면서도 “한국 사업장은 비용, 인건비 등 모든 측면에서 미래를 담보하기 위한 경쟁력을 확보할 수 있어야 한다”고 힘주어 말했다.

 

이 같은 발언은 한국지엠의 인건비를 줄여 경쟁력을 높이겠다는 뜻으로 읽힌다. 실제로 카젬 사장은 추가적인 구조조정을 묻는 질문에 “생산, 연구개발, 지원부서 등 모든 구성원이 효율성을 높일 수 있도록 적극 노력할 것”이라고 답했다.

 

한편, 이날 한국지엠은 콜로라도와 트래버스를 각각 올해 8월 말과 9월 초에 출시하겠다고 밝혔다. GM이 한국에 생산을 배정한 트레일 블레이저도 내년 초 선보일 계획이다. SUV의 비중을 60%까지 늘려 내수 판매를 회복하겠다는 게 한국지엠의 복안이다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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