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제3인터넷은행 예비인가 신청 시작...토스·키움 재도전하나

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Thursday, October 10, 2019, 14:10:06

오는 15일까지 접수..업계 “토스·키움, 보안 유지하다 마감 직전에 참여할 듯”

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ제3인터넷전문은행 예비인가 신청이 오늘부터 시작된다. 앞서 고배를 마신 토스뱅크와 키움뱅크가 재도전 여부와 새로운 컨소시엄 상황에도 관심이 모아지고 있다.

 

10일 금융당국에 따르면 이날부터 오는 15일까지 제3인터넷은행 예비인가 신청을 받는다. 금융당국은 신청서류를 토대로 외부평가위원회 등을 거쳐 심사결과를 낸다. 예비인가 대상자는 연말에 발표될 것으로 전망된다.

 

이번 접수는 지난 5월 신규 인터넷전문은행 예비인가 불발이 결정된 뒤 5개월만에 다시 진행되는 것이다. 당시 금융위원회는 금융감독원장 자문기구인 외부평가위원회 평가의견과 금감원 심사결과를 토대로 2개 신청사의 예비인가를 모두 불허했다. '토스뱅크'는 자본 안정성에서, '키움뱅크'는 혁신성에서 합격점을 받지 못했다.

 

현재 공식적으로 출사표를 던진 곳은 소상공인연합이 주도하는 소소스마트뱅크(이하 소소뱅크)가 유일하다. 지난달 중소기업·소상공인을 위한 혁신 금융 서비스를 내세우며 등장한 소소뱅크는 사단법인 서울시소기업소상공인연합회와 전국패션 소상공인연합회 등 소상공인연합을 중심으로 꾸려졌으며 현재 시중은행 및 보험회사 등과 컨소시엄 구성을 논의하고 있는 것으로 확인됐다.

 

토스와 키움은 아직 참여 여부를 공식화하지 않은 상태다. 금융권에서는 토스와 키움이 15일 마감 직전에 참여할 것이란 관측이 우세하다.

 

키움뱅크는 지난 1차 예비인가 신청 때 주요 주주사로 참여했던 하나은행이 컨소시엄에서 빠질 것이란 관측이 나오고 있다. 하나은행이 발을 뺀다면 파트너십을 맺고 있는 SK텔레콤도 이탈할 가능성이 있다.

 

하나은행과 SK텔레콤 계열이 이탈한다고 해도 롯데 계열(코리아세븐·롯데멤버스)과 여타 후보군 등을 감안하면 자본 조달에는 큰 무리가 없을 것이라는 추측도 나온다.

 

토스는 SC제일은행과 컨소시엄 구성을 논의하는 것으로 전해지고 있다. 이를 통해 토스가 약점으로 지적됐던 자본 안정성 문제를 해소할 수 있을 것으로 기대하고 있기 때문이다. 그러나 키움증권과 토스 모두 “인터넷은행 참여 여부에 대해 아직 결정된 것이 없다”며 공적적으로는 유보적인 입장을 취하고 있다.

 

이에 대해 은행권 관계자는 “일찍부터 신청해 상대에게 패를 다 드러내기보다는 마감일 직전에 참여의사를 밝힐 확률이 높을 것”이라며 “또 지난번 예비인가 심사에서 신한지주가 토스뱅크와 손을 잡았다 포기한 사례도 있는 만큼 컨소시엄 구성에 많은 난항과 변수가 있어 최대한 말을 아낄 것”이라고 내다봤다.

 

금융당국은 인터넷전문은행 예비인가 신청접수를 받은 후 신청일로부터 60일 안에 심사 결과를 발표할 계획이다. 이번 심사를 통과한다면 지난 2015년 11월 예비인가를 받은 카카오뱅크와 케이뱅크에 이어 약 4년 만에 새로운 인터넷전문은행이 탄생하게 된다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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